半導体について誤っているのはどれか。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
正しいのはどれか。
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
a: 熱伝導はあらゆる種類の物質に認められる現象である。
b: 銀はダイヤモンドより熱伝導率が大きい。
c: ステンレスは銀より熱伝導率が大きい。
d: 熱対流は真空中でも認められる現象である。
e: 熱放射は電磁波の形で熱が移動する現象である。
a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
一様な電界に置かれた導体について正しいのはどれか。ただし、真空中とする。
a: 導体表面に電荷が現れる。
b: 導体内の電界の大きさは0となる。
c: 導体内の自由電子は電界の方向へ移動する。
d: 導体内では誘電分極が起こる。
e: 電界の方向は導体表面との接線方向となる。
誤っているのはどれか。
1: 金属棒の抵抗は長さに比例する。
2: 金属棒の抵抗は断面積に反比例する。
3: 金属棒の抵抗は温度が上昇すると小さくなる。
4: 導電率は抵抗率の逆数である。
5: 金、銀、銅のうち、最も低効率が小さいのは銀である。
a: 正電荷と負電荷とは互いに引き付けあう。
b: 電荷間に働く力は電荷間の距離の2乗に反比例する。
c: 電荷によって電界が発生する。
d: 単一電荷による電位は電荷からの距離の2乗に反比例する。
e: 運動する電荷は電流と等価ではない。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
1: 磁界中の電流が受ける力の大きさは電流に比例する。
2: 直線電流の付近では放射状の磁界が発生する。
3: 磁界中を磁界の方向と直角に走行する電子は力を受けない。
4: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に力は働かない。
5: 直線電流に平行に置かれた棒磁石は力を受けない。
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
a: 生体電気信号の導出には単極誘導と双極誘導とがある。
b: 金属と電解質との接触面の静止電位は材質にかかわらず一定である。
c: 皮膚インピーダンスは抵抗と電気容量との直列回路で近似される。
d: ArAgCl電極は不分極電極として生体用電極に用いられる。
e: 電極接触インピーダンスは周波数依存性を示す。
半導体について正しいのはどれか。
a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e: pn接合は発振作用を示す。
半導体の性質として正しいのはどれか。
1: n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。
2: p型半導体の多数キャリアは自由電子である。
3: 真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。
4: 真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。
5: 共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。
1: 細胞膜は直流電流を通しにくい。
2: 生体組織の導電率は周波数に反比例する。
3: 比誘電率の大きさは生体組織の種類に依存しない。
4: 細胞外液は細胞内液よりカリウムイオンを多く含む。
5: 興奮していない細胞内の電位は細胞外に対して正である。
磁気について正しいのはどれか。
1: 磁界中の電流が受ける力の方向は磁束密度の方向に一致する。
2: 直線電流の周囲では放射状の磁界が発生する。
3: 磁界中を磁界の方向に走行する電子は力を受けない。
4: 2本の平行導線に逆向きに電流が流れていると両者の間に力は働かない。
5: 磁石は静止した陽子を引きつける。
a: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界には影響を及ぼさない。
b: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間には反発力が生じる。
c: 発電機では磁界中で導体を動かすことにより起電力を発生させている。
d: 棒磁石を直線電流と平行に置いたとき、棒磁石は力を受けない。
e: 電子が直線電流の近くを同方向に走行していると直線電流に向かう力を受ける。
静電界中の導体について誤っているのはどれか。
a: 導体内部に電界が存在する。
b: 導体表面に電荷が存在する。
c: 電気力線は導体表面に垂直である。
d: 導体の表面は等電位面である。
e: 導体にうず電流が流れる。
a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
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