正しいのはどれか。
a: 直線電流の周りには電流が時間的変化をするときだけ磁力線が生じる。
b: 円形コイルに電流を流すとコイル面内ではコイル面と垂直方向に磁界が発生する。
c: 直線電流がつくる磁界の大きさは距離に反比例する。
d: 磁界中で運動する電荷は運動速度に反比例する力を受ける。
e: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に反発力が働く。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
a: 電荷に働く力はその場所の電界の2乗に比例する。
b: 電界とはその場所に置かれた電子の受ける力をいう。
c: 電界の単位はV/mである。
d: 1Cの電荷を移動させるのに1Jのエネルギーが必要であるとき、その電位差を1Vという。
e: 電気力線は等電位面と常に平行である。
1: 直線電流の近くでは、電流と平行に磁界が発生する。
2: 円形コイルに電流を流すと、コイル面内で中心に向かう磁界が発生する。
3: 一様な磁界中に棒磁石を磁界と直角に置くと、磁石は力を受けない。
4: 磁界中を磁界と直角方向に走行する電子は力を受けない。
5: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると、両者の間に力が働く。
帯電している導体球が真空中におかれている。正しいのはどれか。ただし、導体には電流は流れておらず、すべての電荷が静止しているものとする。
1: 導体表面は等電位面である。
2: 導体内部には一様な電荷が存在する。
3: 導体内部には同心円状に電界が存在する。
4: 導体内部から放射状に電気力線が出入りする。
5: 導体球に帯電体を近づけると導体内部に電位差が生じる。
a: 電荷に働く力はその場所の電界に比例する。
c: 電界の単位はV/m2である。
d: 電気力線と等電位線は常に平行となる。
e: 1Cの電荷を移動させるのに1J必要であるとき、の電位差を1Vという。
誤っているのはどれか。
1: 等電位面に沿って電荷を動かすのに必要な仕事は零である。
2: 導体を靜電界中におくと電荷はすべて導体の中心に集まる。
3: 導体中で磁束密度が時間的に変化すると、うず電流が導体中に流れる。
4: 鉄心に導線をn回巻きしたコイルの自己インダクタンスはnの2乗に比例する。
5: 光は電磁波の一種である。
磁界について正しいのはどれか。
1: 磁界中の電流が受ける力の方向は磁束密度の方向に一致する。
2: 直線電流のそばでは放射状の磁界が発生する。
3: 磁界中を磁界の方向に走行する電子は力を受けない。
4: 2本の平行導線に逆向きに電流が流れていると両者の間に力は働かない。
5: 磁石は静止した陽子を引きつける。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
a: 熱の伝わり方には熱伝導、熱対流および熱放射(熱輻射)の三種類がある。
b: 空気は銀に比べて熱伝導は大変よい。
c: 熱対流は個体だけにみられる現象である。
d: 高温の物質ほど波長の長い電磁波を出している。
e: 熱放射は真空中でも起こる。
1: 電気力線の密度は電界の強さに比例する。
2: 電気力線は正電荷からはじまって負電荷で終わる。
3: 電位の変化が急激な部分では等電位線の密度が高くなる。
4: 等電位線は交わらない。
5: 電気力線と等電位線は平行である。
d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。
全く帯電していない完全導体を一様な電界の中に置いた。正しいのはどれか。
a: 電気力線は導体を置く前と置いた後では異なる。
b: 導体の表面には電磁誘導によって負の電荷が現れる。
c: 導体表面の電位は一様ではない。
d: 導体の内部に静電誘導によって負の電荷が現れる。
e: 導体の電荷の総和は0に保たれる。
a: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間に反発力が生じる。
b: 2個の棒状磁石を平行に並べてもその間に力は働かない。
c: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界は変化しない。
d: 直線電流と平行に電流と同じ向きに電子が移動すると電子は電流から遠ざかる方向の力を受ける。
e: 発電機では磁界中で導体を動かすことによって起電力を発生させる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
生体用電極で正しいのはどれか。
1: 複数の電極を使用する場合には異種の金属電極を使用する。
2: 電極の面積が大きいほど電極インピーダンスは小さくなる。
3: 電極インピーダンスは周波数に比例して増加する。
4: 電極インピーダンスは電気化学反応とは無関係である。
5: 生体との接触面は金属でなければならない。
生体の電気的な性質として誤っているのはどれか。
1: 導電率は周波数の増加とともに増加する。
2: 誘電率は周波数の増加とともに減少する。
3: 細胞内外液は脂肪組織と比較して導電率が大きい。
4: 細胞膜は細胞内外液と比べて導電率が極めて小さい。
5: γ分散は生体固有の組織構造による分散である。
1: 直線電流が発生する磁束密度を表す磁力線は同心円状である。
2: 直線電流が発生する磁束密度は電流からの距離の2乗に反比例する。
3: 円形コイルが発生する磁束密度はコイルの中心で0になる。
4: ソレノイド外部の磁束密度はソレノイドに流れる電流に反比例する。
5: ソレノイド内部の磁束密度は巻数の2乗に比例する。
1: 太陽電池は発光素子の一種である。
2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。
3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。
4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。
5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
a: 直線電流の周りにはこれを中心とする同心円状の磁力線が生じる。
b: 円形コイルに電流を流すとコイル面内では同心円状に磁界が発生する。
c: 直線電流がつくる磁界の大きさは電流からの距離の2乗に反比例する。
e: 2本の平行導線に逆方向に電流が流れていると両者の間に反発力が働く。
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b: FETはユニポーラトランジスタである。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETは高入カインピーダンス素子である。
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