第33回国試午後51問の類似問題

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

正しいのはどれか。（電子工学）

a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。

b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。

c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。

e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

トランジスタについて正しいのはどれか。

a: インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。

b: FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。

c: バイポーラトランジスタは2端子素子である。

d: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

e: MOSFETのゲートはpn接合で作られる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。

b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。

e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。

b: FETを用いて論理回路は構成できない。

c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。

d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。

e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。

2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。

3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

5: FETはユニポーラトランジスタともいう。

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETのn形チャネルのキャリアは電子である。

2: FETは入力インピーダンスが高い。

3: エミッタはFETの端子の1つである。

4: コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。

5: バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1: 電圧制御型の素子である。

2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。

4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。

5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。