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第21回国試午後13問の類似問題

国試第36回午前：第52問

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1:n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 
2:p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 
3:真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 
4:真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 
5:共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。 

国試第37回午前：第52問

誤っているのはどれか。

1:p形半導体は不純物半導体である。
2:n形半導体の多数キャリアは正孔である。
3:高純度のシリコン結晶は真性半導体である。
4:空乏層はpn接合部に生じる。
5:理想ダイオードに順方向電圧を印加すると電流が流れる。

ME2第29回午前：第40問

半導体について誤っているのはどれか。

1:金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2:p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3:温度が上昇すると導電率は減少する。
4:ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5:電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。

ME2第36回午前：第32問

半導体について誤っているのはどれか。

1:真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2:n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3:アクセプタとは3価の不純物を指す。
4:正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5:p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

国試第25回午前：第50問

正しいのはどれか。

1:半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2:p形半導体の多数キャリアは電子である。
3:シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4:トランジスタは能動素子である。
5:理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

ME2第40回午前：第31問

半導体について誤っているのはどれか。

1:主に4価の元素が材料として使われる。
2:抵抗率は導体より大きい。
3:真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4:同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5:キャリアとして電子と正孔がある。

国試第14回午後：第12問

誤っているのはどれか。

1:不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2:シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3:ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4:ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5:MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

国試第34回午前：第52問

正しいのはどれか。

1:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3:p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4:MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5:金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第27回午前：第51問

正しいのはどれか。

a:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c:p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d:MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e:金属の導電率は温度が高くなると増加する。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第8回午後：第22問

正しいのはどれか。

a:pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。
b:CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。
c:LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。
d:エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。
e:光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e