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第4回国試午後19問の類似問題

国試第8回午後：第21問

正しいのはどれか。

a:金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b:pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c:電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d:バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e:FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第7回午後：第9問

誤っているのはどれか。

1:FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2:バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。
3:ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4:トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5:FETは可変抵抗素子としても使われる。

国試第5回午後：第20問

誤っているのはどれか。

1:FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2:バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。
3:ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4:トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5:FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

国試第20回午後：第12問

正しいのはどれか。（電子工学）

a:バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。
b:バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。
c:パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。
e:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第30回午前：第51問

正しいのはどれか。

a:理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d:FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e:CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第35回午後：第51問

正しいのはどれか。 

a:理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 
b:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 
d:FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 
e:CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第15回午後：第12問

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a:n形とp形の半導体によって構成される。
b:電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c:エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d:正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e:アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第6回午後：第20問

正しいのはどれか。

1:ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2:電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3:トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4:n型半導体の多数キャリアは電子である。
5:p型半導体の多数キャリアは陽子である。

国試第24回午前：第52問

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1:理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2:ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4:FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5:バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

国試第33回午後：第51問

正しいのはどれか。

a:理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b:ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d:接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e:CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第13回午後：第13問

正しいのはどれか。

a:pチャネルFETの伝導電荷は電子である。
b:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
c:FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
d:バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。
e:バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第14回午後：第12問

誤っているのはどれか。

1:不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2:シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3:ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4:ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5:MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

国試第7回午後：第10問

正しいのはどれか。

1:npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2:コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3:ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4:MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5:MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

国試第34回午前：第52問

正しいのはどれか。

1:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3:p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4:MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5:金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第16回午後：第12問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1:FETの種類として接合形とMOS形とがある。
2:FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3:バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。
4:バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
5:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。

国試第27回午前：第51問

正しいのはどれか。

a:ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b:ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c:p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d:MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e:金属の導電率は温度が高くなると増加する。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第25回午前：第50問

正しいのはどれか。

1:半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2:p形半導体の多数キャリアは電子である。
3:シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4:トランジスタは能動素子である。
5:理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

国試第31回午前：第52問

図のPN接合で正しいのはどれか。

31AM52-0
a:多数キャリアAには右方向に力が作用する。
b:多数キャリアBは電子である。
c:電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。
d:電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。
e:電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第11回午後：第12問

トランジスタについて正しいのはどれか。

a:インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b:FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c:バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e:MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第28回午前：第53問

正しいのはどれか。

a:CMOS回路は消費電力が少ない。
b:LEDはpn接合の構造をもつ。
c:FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d:接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e