第36回国試午前52問の類似問題

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

半導体について正しいのはどれか。

a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。

b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。

c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。

d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

e: pn接合は発振作用を示す。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。

2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。

3: 温度が上昇すると導電率は減少する。

4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。

5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。

一様な電界に置かれた導体について正しいのはどれか。ただし、真空中とする。

a: 導体表面に電荷が現れる。

b: 導体内の電界の大きさは0となる。

c: 導体内の自由電子は電界の方向へ移動する。

d: 導体内では誘電分極が起こる。

e: 電界の方向は導体表面との接線方向となる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。（電子工学）

a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。

b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。

c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。

e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

誤っているのはどれか。

1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。

2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。

3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。

4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。

5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1: p形とn形の半導体が接合した構造である。

2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。

3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。

4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。

5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。