第11回国試午前50問の類似問題

国試第12回午後:第12問

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第3回午前:第77問

図の回路で消費される正弦波交流電力を求めるため測定を行った。適切でないのはどれか。

3AM77-0

a: 抵抗値と抵抗の端子間電圧

b: 抵抗値と回路を流れる電流

c: 容量値と回路の全電圧

d: 抗の端子間電圧と回路の全電圧

e: 電流と回路の全電圧および両者の位相差

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第35回午前:第33問

電気メスについて正しいのはどれか。 

a: 利用しているのはグロー放電である。 

b: 凝固の出力波形は連続正弦波である。 

c: 切開時の搬送波は10kHzである。 

d: 高周波非接地形は対極板回路を接地より絶縁している。 

e: モノポーラ出力使用時には対極板が必要である。 

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第8回午後:第10問

コンデンサに流れ込む電流i、端子電圧v(右図参照)の時間波形の組み合わせとして正しいのはどれか。

8PM10-0 8PM10-1

国試第7回午後:第64問

電気メスについて正しいのはどれか。

7PM64-0

a: 高周波電流を使用する。

b: ジュール熱で凝固や切開を行う。

c: 電流は対極板を通じて本体に環流する。

d: 図Aは切閉に使用される電流波形である。

e: 図Bは凝固に使用される電流波形である。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第4回午後:第27問

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

国試第13回午前:第63問

誤っている組合せはどれか。

1: 血圧 ―――――― パルスオキシメトリ

2: 呼気ガス ―――― 赤外線吸光分析法

3: 心拍出量 ―――― フィック法

4: Po2 ―――――― ポーラログラフィ

5: 血液pH ―――― ガラス電極法

国試第29回午前:第56問

正しい組合せはどれか。

a: FSK 振幅偏移変調

b: PWM パルス幅変調

c: CDMA 符号分割多重

d: TDM 周波数分割多重

e: FDM 波長分割多重

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第21回午後:第4問

図の回路の合成静電容量はどれか。

21PM4-0

1: 1.2 μF

2: 2.0 μF

3: 2.4 μF

4: 4.0 μF

5: 4.8 Μf

国試第29回午前:第26問

物理量と単位との組合せで誤っているのはどれか。

1: 応 力 N/m2

2: 静電容量 C/V

3: コンダクタンス V/A

4: インダクタンス Wb/A

5: 吸収線量 J/kg

国試第5回午前:第74問

量と単位の組合せで誤っているのはどれか。

a: 磁束・・・・・・・・・・・・・・ウェーバ

b: インダクタンス・・・・・・ヘンリー

c: 光束・・・・・・・・・・・・・・ルクス

d: 放射能・・・・・・・・・・・・グレイ

e: 磁気誘導・・・・・・・・・・ベクレル

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第12回午後:第28問

サンプリングが正しく行われる組合せはどれか。信号周波数帯域(Hz) -- サンプリング周期(ms)

a: 0~0.2―――――――――3000

b: 4~10――――――――――125

c: 0.5~20――――――――― 20

d: 10~100――――――――― 2.5

e: 100~1000―――――――― 1

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第50問

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

国試第30回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第16回午後:第25問

正しいサンプリング可能な組合せはどれか。信号周波数帯域(Hz)- サンプリング周期〔ms〕

a: 0 ~0.2 ----------------- 3000

b: 4 ~10 ---------------- 125

c: 0.5~20 ---------------- 20

d: 10 ~100 ---------------- 2.5

e: 100~1000 --------------- 1

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第27回午前:第28問

筋電計について適切な組合せはどれか。

1: 周波数特性 5Hz~kHz

2: 時定数 0.3s

3: 最大感度 mV/DIV

4: CMRR 20dB

5: 入力インピーダンス 1MΩ

国試第24回午後:第87問

正しい組合せはどれか。(生体物性材料工学)

a: 光受容 -------- ロドプシン

b: 色 覚 -------- 杆 体

c: 暗所視 ------- ケラチン

d: 紅 斑 ------- ビリルビン

e: 日焼け ------- メラニン

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第31回午前:第35問

電気メスで正しいのはどれか。

1: 300~500kHz帯の電流を用いる。

2: 切開モードでは断続波を用いる。

3: 導電接触形対極板は静電接触形対極板より接触インピーダンスが大きい。

4: 高周波漏れ電流の許容値は500mA以内である。

5: 負荷抵抗10Ωでキャリブレーションする。

国試第29回午前:第51問

図のpn 接合で正しいのはどれか。

29AM51-0

a: 多数キャリアA は正孔である。

b: 多数キャリアB は正極の方向に移動する。

c: 電圧E を高くすると電流は増加する。

d: 電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。

e: 電圧E を高くすると降伏現象が生じる。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第28回午前:第57問

正しい組合せはどれか。

a: ASK -------------- 振幅偏移変調

b: PSK -------------- パルス偏移変調

c: TDM -------------- 波長分割多重

d: CDMA ------------- パルス符号変調

e: FDM -------------- 周波数分割多重

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e