第4回国試午後27問の類似問題

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードを用いると光信号を電気信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。

1: 光ファイバは発光する線維の一種である。

2: 半導体レーザは発光素子の一種である。

3: CCDは光の波長を区別して三原色を検出する。

4: 発光ダイオードはレーザメスに用いられる。

5: 太陽電池は主に熱を電気に変換する。

光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。

1: フォトトランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

2: 光ファイバを用いて位相のそろった光を発生できる。

3: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

4: 光電子増倍管は電子流を増幅して光を発生する。

5: フォトダイオードを用いて光信号を電気信号に変えることができる。

オプトエレクトロニクスについて正しいのはどれか。

a: ホトトランジスタを用いて光信号を電気信号に変えることができる。

b: 太陽電池を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

c: 半導体レーザは大出力が出せるのでレーザメスなどに用いられる。

d: 位相のそろった光を発生するには発光ダイオードを用いればよい。

e: 光電子増倍管はアルゴンなどを封入した気体レーザの一種である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: ツェナーダイオードは可視光センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に利用される。

b: CCDは撮像装置に利用される。

c: サイリスタはアナログ増幅素子である。

d: 硫化カドミウム(CdS)セルは超音波素子である。

e: ホトトランジスタは発光素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に用いられる。

b: CCD(電荷結合素子)は表示装置に用いられる。

c: CRTは受光素子である。

d: サイリスタは電源回路に用いられる。

e: 光電子増倍管は受光素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: LEDの発光強度は加えた電圧に比例する。

b: LEDの発光波長は流した電流に比例する。

c: LEDの順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。

d: フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。

e: フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

光センサとして使用できないのはどれか。

1: 光電子増倍管

2: フォト・ダイオード

3: フォト・トランジスタ

4: 光ディスク

5: 太陽電池

光センサとして使用できないのはどれか。

1: 光電子増倍管

2: ホト・ダイオード

3: ホト・トランジスタ

4: 光ファイバ

5: 太陽電池

受光素子でないのはどれか。（電子工学）

1: ホトトランジスク

2: 光導電素子

3: 太陽電池

4: CCD

5: レーザダイオード

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子素子について正しいのはどれか。

a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。

b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。

c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。

d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。

e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

光エネルギーを電気エネルギーに変換するのはどれか。

1: レーザダイオード

2: フォトダイオード

3: 有機EL

4: LED

5: CdS