第35回国試午前47問の類似問題

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するには誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

生体の電気特性で誤っているのはどれか。

a: 神経細胞の活動電位の持続時間は約1秒である。

b: 静止電位は細胞内外のイオン濃度差に起因する。

c: 脱分極では細胞内の電位が正方向に変化する。

d: β分散は組織の構造に起因する。

e: γ分散はイオンの集散に起因する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

生体電気現象の計測について正しいのはどれか。

a: 低周波領域では電極接触インピーダンスは周波数に比例する。

b: 金属と電解液の接触面では静止電位が発生する。

c: 電極に電流が流れると静止電位の他に電極と生体間に分極電圧が発生する。

d: 生体と電極との接触インピーダンスはできるだけ小さい方がよい。

e: 増幅器の入力インピーダンスはできるだけ小さい方がよい。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1: n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 

2: p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 

3: 真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 

4: 真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 

5: 共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。 

電気メスについて正しいのはどれか。

a: 高周波電流を使用する。

b: ジュール熱で凝固や切開を行う。

c: 電流は対極板を通じて本体に環流する。

d: 図Aは切閉に使用される電流波形である。

e: 図Bは凝固に使用される電流波形である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

細胞の電気活動で正しいのはどれか。（医学概論）

a: 静止状態では細胞外に対して細胞内の電位が高い。

b: 静止膜電位の発生には主にCl-が関与する。

c: 細胞内外の電位差が減少することを脱分極という。

d: 活動電位の脱分極相にはNa+が関与する。

e: 細胞が電気的興奮を生じる最低の刺激を不応期という。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

それぞれ1Aの平行電流が真空中に存在する。1m離れているときの電流間に働く力は、2m離れているときの力の何倍か。

1: 0.25

2: 0.5

3: 1

4: 2

5: 4

電池について正しいのはどれか。

a: 電池の容量は開放端子電圧と短絡電流との積(V・A)で表される。

b: 電池の内部抵抗は使用とともに増大する。

c: 一次電池は充電すると破裂の危険がある。

d: 二次電池の基本構造は電解コンデンサと同じである。

e: 大電流で短時間に使い切るほど多くの電力を取り出せる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のようにA点に電気量Q、B点とC点に電気量2Qの点電荷が正方形の各頂点に固定してある。A点の点電荷にはたらく静電気力がつり合うとき、X点の電気量はどれか。ただし、Q＞0ある。

1: Q

2: -Q

3: 2√2Q

4: -2√2Q

5: -4√2Q

血液について誤っているのはどれか。

1: 非ニュートン流体である。

2: 力学的に等方的である。

3: 比誘電率は周波数依存性がある。

4: 超音波伝搬速度は空気中よりも速い。

5: 吸光度は可視光領域でほぼ一定である。

生体の電気的な性質として誤っているのはどれか。

1: 導電率は周波数の増加とともに増加する。

2: 誘電率は周波数の増加とともに減少する。

3: 細胞内外液は脂肪組織と比較して導電率が大きい。

4: 細胞膜は細胞内外液と比べて導電率が極めて小さい。

5: γ分散は生体固有の組織構造による分散である。

真空中に 1 C（クーロン）の点電荷 A と 2 C の点電荷 B が 1 m の距離で存在する。正しいのはどれか。

1: B の受ける力は、A の受ける力の 2 倍である。

2: B の受ける力の方向は、A、B を結ぶ直線に垂直である。

3: A、B 間の距離を 0．5 m にすると、B の受ける力は 2 倍になる。

4: A の電荷量を 2 倍にすると、A 及び B の受ける力は 2 倍になる。

5: A 及び B の電荷量を両方とも 2 倍にしても、A の受ける力は変わらない。

図のように真空中で、r離れた無限に長い平行導線1、2に、大きさが等しい電流I1、I2が同じ方向に流れているとき、正しいのはどれか。ただし、I1が導線2につくる磁束密度をB1、I2が導線1につくる磁束密度をB2、導線2の単位長さにかかる力をF2とする。

1: 磁束密度B1電流I1に反比例する。

2: 電流I1と磁束密度B1との向きは逆方向となる。

3: 導線1導線2の間には引力が働く。

4: 力F2は導線間の距離rに比例する。

5: 磁束密度B1と磁束密度B2の向きは同方向となる。

シールドについて正しいのはどれか。

1: 静電シールドは接地することでシールドの電位を0にすることができる。

2: 静電シールドには誘電率の高い物質が用いられる。

3: 静電シールドは直流に対しては無効である。

4: 磁気シールドには透磁率の低い物質が用いられる。

5: 磁気シールドは接地することで内部の磁界を0にすることができる。

電気および磁気のシールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

a: 接地された良導体で完全に囲んだ領域の内部の電界の変動は、外部にほとんど影響を及ぼさない。

b: 接地された良導体で完全に囲んだ領域の外部の電界のは、内部にほとんど影響を及ぼさない。

c: 磁気シールドをするには、その領域をできるだけ透磁率が小さい材料で囲めばよい。

d: 十分低い周波数の妨害については、その領域を誘電率が非常に大きい材料で囲めば電界も磁界もシールドされる。

e: 十分高い周波数の妨害については、その領域を良導体で囲めば電界も磁界もシールドされる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の導体 A を静電シールドする場合、正しい方法はどれか。

真空中に2Cの電荷Aと-1Cの電荷Ｂが距離1m離れて存在する。正しいのはどれか。

a: AはBに引き付けられる向きに力を受ける。

b: Aの受ける力はBの受ける力の2倍である。

c: BはAに反発される向きに力を受ける。

d: AB間の距離を10mにするとAの受ける力は1/10になる。

e: AB間の距離を50cmにするとBの受ける力は4倍になる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

断面積S、長さlの導体の長さ方向に一定電圧が加えられているとき正しいのはどれか。

a: 導体の抵抗はSとlの積に比例する。

b: 導体の抵抗はlに比例してSに反比例する。

c: 1が2倍になると流れる電流は0.5倍になる。

d: Sが2倍になると流れる電流は4倍になる。

e: Sが小さくなると電流によって発生する熱は増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

一様な磁界の中に8Aの電流が流れている直線状の導線がある。この導線1m辺りに作用する力はどれか。ただし、磁束密度は0.5T、磁界と電流の間の角度は30度とする。

1: 0.5 N

2: 0.9 N

3: 2.0 N

4: 3.4 N

5: 4.0 N