第4回国試午後13問の類似問題

断面積S、長さL、導電率σである金属棒の抵抗を表す式はどれか。

1: L/σS

2: Lσ/S

3: LS/σ

4: σS/L

5: σ/SL

断面積S[m2]、長さd[m]、導電率σ[S/m]の導体に電流密度J[A/m2]の電流が流れているとき、導体の電圧降下[V]はどれか。

1: $\frac {Jd}{\sigma }$

2: $J\sigma d$

3: $\frac {Jd}{\sigma S}$

4: $\frac {J\sigma S}{d}$

5: $\frac {JSd}{\sigma }$

図に示すソレノイド（a≪l）について正しいのはどれか。

a: 内部の磁界の強さは長さlに反比例する。

b: 電流Iを2倍にすると磁界の強さは4倍になる。

c: 直径aを2倍にすると磁界の強さは2倍になる。

d: 内部はほぼ均一磁界である。

e: 同じ長さで巻数Nを2倍にすると磁束密度は2倍になる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の回路でスイッチSを閉じた。正しいのはどれか。（電気工学）

1: 直後にコイルにかかる電圧はEに近い。

2: 直後に流れる電流はE/Rに近い。

3: 時間が十分に経過すると抵抗にかかる電圧は0に近づく。

4: 時定数はR/Lである。

5: 抵抗で消費される電力は時間の経過に関係なく一定である。

正しいのはどれか。

a: 図1に示す電極板間の電界の強さは$\frac{V}{S}$である。

b: 図2に示す電極板間の電界の強さは$\frac{Qd}{S}$である。

c: 図1に示す電極板間に比誘電率εrの誘電体を狭むと電界の強さは$\frac{1}{\varepsilon_r}$となる。

d: 図2に示す電極板間に比誘電率εrの誘電体を狭むと電界の強さは$\frac{1}{\varepsilon_r}$となる。

e: 図1の電極板の間隔を$\frac{d}{2}$にすると電界の強さは2倍になる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路において、t＝0でスイッチを入れた。正しいのはどれか。

1: 時定数はLRである。

2: 直後に抵抗にかかる電圧はEとなる。

3: 直後に流れる電流はE/Rとなる。

4: 時開か十分に経過すると抵抗にかかる電圧はE/2となる。

5: 時間が十分に経過すると抵抗で消費される電力はE2/Rとなる。

2個の同じ抵抗発熱体を一定電圧の電源に並列につないだときの総発熱量は、直列につないだときの総発熱量の何倍になるか。ただし、温度によって抵抗値は変わらないものとする。

1: 1/4

2: 1/2

3: 1

4: 2

5: 4

正しいのはどれか。

1: ソレノイドの長さが断面の半径に比べて十分に大きいときソレノイド内部の磁束密度は一様である。

2: 直線電流によって生じる磁界の大きさは電流からの距離の2乗に反比例する。

3: 一回巻き円形コイルの中心における磁界の大きさは半径の2乗に反比例する。

4: 磁力線に平行に流れる電流は力を受ける。

5: 強磁性体の比透磁率は約1である。

2枚の平行平板電極からなるコンデンサがある。電極面積はSであり電極間は空気で満たされている。この電極を水平に支えるため、図のように中央部に誘電体円柱を挿入した。誘電体水平断面の面積はS/2、比誘電率は5である。挿入前の静電容量と挿入後の静電容量との比で最も近いのはどれか。(電気工学)

1: 1:1

2: 1:2

3: 1:3

4: 1:4

5: 1:5

図のように真空中で、r離れた無限に長い平行導線1、2に、大きさが等しい電流I1、I2が同じ方向に流れているとき、正しいのはどれか。ただし、I1が導線2につくる磁束密度をB1、I2が導線1につくる磁束密度をB2、導線2の単位長さにかかる力をF2とする。

1: 磁束密度B1電流I1に反比例する。

2: 電流I1と磁束密度B1との向きは逆方向となる。

3: 導線1導線2の間には引力が働く。

4: 力F2は導線間の距離rに比例する。

5: 磁束密度B1と磁束密度B2の向きは同方向となる。

抵抗R、インダクタLの直列回路において正しいのはどれか。（電気工学）

1: 周波数が高くなるほど回路電流は増加する。

2: 共振周波数が存在する。

3: Rの電流とLの電流の比は周波数に比例する。

4: 回路電流は電源電圧より位相がπ/2進んでいる。

5: Lの端子電圧はRの端子電圧より位相がπ/2進んでいる。

交流回路で正しいのはどれか。

1: インダクタンスLは電圧に対して電流の位相を90°進ませる作用がある。

2: 容量Cのリアクタンスの大きさは周波数に比例する。

3: 電流の流れにくさはインピーダンスによって表現される。

4: 電流の流れやすさはリアクタンスによって表現される。

5: 平均電力は電圧実効値と電流実効値とをかけたものに常に等しい。

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

正しいのはどれか。

1: 直線電流が発生する磁束密度を表す磁力線は同心円状である。

2: 直線電流が発生する磁束密度は電流からの距離の2乗に反比例する。

3: 円形コイルが発生する磁束密度はコイルの中心で0になる。

4: ソレノイド外部の磁束密度はソレノイドに流れる電流に反比例する。

5: ソレノイド内部の磁束密度は巻数の2乗に比例する。

正しいのはどれか。

1: 磁界中の電流が受ける力の大きさは電流に比例する。

2: 直線電流の付近では放射状の磁界が発生する。

3: 磁界中を磁界の方向と直角に走行する電子は力を受けない。

4: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に力は働かない。

5: 直線電流に平行に置かれた棒磁石は力を受けない。

図のように長さL、一様な断面積A熱伝導率kの直方体の物体におい　て、面aの温度がθ1、面bの温度がθ2である。t秒間に移動する熱量Qについて誤っているのはどれか。ただし、熱量は面aから面bへのみ移動する。

1: 熱伝導率kに比例する。

2: 断面積Aに比例する。

3: 時間tに比例する。

4: 温度差θ1-θ2に比例する。

5: 長さLに比例する。

正しいのはどれか。

a: 直線電流の周りには電流が時間的変化をするときだけ磁力線が生じる。

b: 円形コイルに電流を流すとコイル面内ではコイル面と垂直方向に磁界が発生する。

c: 直線電流がつくる磁界の大きさは距離に反比例する。

d: 磁界中で運動する電荷は運動速度に反比例する力を受ける。

e: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に反発力が働く。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 直線電流の周りにはこれを中心とする同心円状の磁力線が生じる。

b: 円形コイルに電流を流すとコイル面内では同心円状に磁界が発生する。

c: 直線電流がつくる磁界の大きさは電流からの距離の2乗に反比例する。

d: 磁界中で運動する電荷は運動速度に反比例する力を受ける。

e: 2本の平行導線に逆方向に電流が流れていると両者の間に反発力が働く。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のpn 接合で正しいのはどれか。

a: 多数キャリアA は正孔である。

b: 多数キャリアB は正極の方向に移動する。

c: 電圧E を高くすると電流は増加する。

d: 電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。

e: 電圧E を高くすると降伏現象が生じる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の回路でコンデンサの電荷が0の状態でスイッチSを閉じた。正しいのはどれか。

a: 直後にコンデンサにかかる電圧はEである。

b: 直後に抵抗に流れる電流はE/Rである。

c: 時間が十分に経過するとコンデンサにかかる電圧はEに近づく。

d: 時間が十分に経過すると抵抗にかかる電圧はEに近づく。

e: 時定数は1/CRである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e