電気メスについて正しいのはどれか。
a: 利用しているのはグロー放電である。
b: 凝固の出力波形は連続正弦波である。
c: 切開時の搬送波は10kHzである。
d: 高周波非接地形は対極板回路を接地より絶縁している。
e: モノポーラ出力使用時には対極板が必要である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図の回路について誤っているのはどれか。
1: RiとRfが等しいとき、増幅度の絶対値は1である。
2: R;に流れる電流とRに流れる電流の大きさは等しい。
3: VとVの極性は反対である。
4: p点の電位はOVである。
5: 入力インピーダンスは無限大である。
図の回路で電流計の指示値は何mAか。ただし、演算増幅器と電流計は理想的に働くこととする。
1: 1
2: 2
3: 3
4: 6
5: 12
図の回路で抵抗2．0Xでの消費電力が2．0Wのとき、抵抗4．0Xの消費電力［W］はどれか。
1: 0．5
2: 1．0
3: 1．5
4: 2．0
5: 3．0
図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。
a: エミッタフォロワと呼ばれる。
b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c: インピーダンス変換回路として用いられる。
d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e: 信号の電力増幅を行うことはできない。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
図1の単発の方形波パルスを図2のCR回路に入れた。出力波形の図3に示されるVの値は何Vか。ただし、図3は正確に書かれているとは限らない。
1: -0.37
2: -0.5
3: -0.63
4: -0.75
5: -1
図のボルテージフォロワ回路の特徴で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
a: 入力抵抗は無限大である。
b: 出力抵抗はゼロである。
c: バーチャルショートが成立する。
d: 利得は無限大である。
e: 反転増幅回路の一種である。
a: 対極板の面積は5cm2程度である。
b: 血行のよい部位には対極板を装着しない。
c: 対極板回路抵抗の増加は熱傷の原因である。
d: 高周波漏れ電流は150mA以下に規制されている。
e: 放電時に発生する低周波電流は電撃の原因となる。
図の回路で抵抗に2A(実効値)の電流が流れている。リアククンスXの値はどれか。(電気工学)
1: 1Ω
2: 2Ω
3: 3Ω
4: 4Ω
5: 5Ω
オペアンプを用いた図の回路について正しいのはどれか。
1: Vo = 2Viである。
2: Viに対する入力インピーダンスは1kΩ以下である。
3: 負帰還が用いられている。
4: 電力増幅を行うために用いられる。
5: 出力インピーダンスは1kΩ以上である。
正しいのはどれか。
a: 2進法の0101は10進法の9を表す。
b: 入力がX=0、Y=0のOR回路の出力は1である。
c: 入力がX=1、Y=0のNAND回路の出力は1である。
d: 100倍の電圧増幅度をデシベル単位で表すと40dBである。
e: 1000倍の電力増幅度をデシベル単位で表すと100dBである。
図の回路でコンデンサに初期電荷が存在している。スイッチを閉じてから1秒後の電流値を、スイッチを閉じた直後の電流値と比較した時の比で最も近いのはどれか。ただし、自然対数の底e = 2. 73とする。
1: 0. 76
2: 0.63
3: 0.5
4: 0.37
5: 0.24
図は生体と計測器との等価回路である。誤っているのはどれか。
1: Z1は主に皮膚と電極のインピーダンスである。
2: Z2はできるだけ小さい方がよい。
3: 3. $\left|Z_1\right|\ll\left|Z_2\right|$の関係が望ましい。
4: 入カ信号が大きすぎると波形ひずみが生じる。
5: 増幅器の入カ段にはFETが使われる。
a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
図に示す抵抗回路の合成抵抗として正しいのはどれか。
1: 1/3Ω
2: 1Ω
3: 2Ω
4: 5Ω
5: 9Ω
図の回路で抵抗200Ωに0.1Aの電流が流れている。電圧Eは何Vか。
1: 20
2: 50
3: 70
4: 90
5: 110
a: 直線電流の周りには電流が時間的変化をするときだけ磁力線が生じる。
b: 円形コイルに電流を流すとコイル面内ではコイル面と垂直方向に磁界が発生する。
c: 直線電流がつくる磁界の大きさは距離に反比例する。
d: 磁界中で運動する電荷は運動速度に反比例する力を受ける。
e: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に反発力が働く。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1: 500MHzの高周波が用いられる。
2: 出力電力と必要な対極板面積は反比例する。
3: 純切開にはバースト波が用いられる。
4: 出力回路にはコンデンサが直列に挿入される。
5: 高周波接地は対極板側回路を抵抗により接地する。
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