第15回国試午後14問の類似問題

演算増幅器について正しいのはどれか。

a: 正帰環をかけることにより安定度を改善できる。

b: 負帰環をかけることにより周波数特性を改善できる。

c: コンデンサと抵抗とを組み合わせてフィルタを構成できる。

d: 直流信号は増幅できない。

e: 信号の電力増幅はできない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

ある治療機器の装着部に図のような図記号が表示してあった。正しいのはどれか。

1: 電源トランスの二次側に3000V以上の電圧が発生している。

2: 1000Vの静電気放電に耐性がある。

3: ピーク電圧で1500V以上の出力電圧が出る。

4: 雷撃に対して防護されている。

5: 目に障害を発生させるレベルのレーザ光を出力する。

図の回路について誤っているのはどれか。

1: 時定数はCRである。

2: 遮断周波数は1/(2πCR)である。

3: 積分回路として用いられる。

4: 遮断周波数では入出力間にπ/4radの位相差が生じる。

5: 遮断周波数より高い周波数の信号が通過する。

図の回路において出力電圧 Vo ［V］ はどれか。ただし、入力電圧 V1 = 20 mV、V2 = 10 mV、Aは理想演算増幅器とする。

1: -10

2: -1

3: 1

4: 10

5: 100

図のような波形の電圧パルスを50Ωの負荷抵抗に通電した。抵抗で消費されるエネルギーは何Jか。

1: 80

2: 160

3: 200

4: 240

5: 360

図のように0.20μFと2.0μFのコンデンサ2個を直列に接続し、その両端に110 Vの直流電圧を印加した。2.0μFのコンデンサの両端にかかる電圧はどれか。（電気工学）

1: 0.10V

2: 10V

3: 55V

4: 100V

5: 110V

図のpn 接合で正しいのはどれか。

a: 多数キャリアA は正孔である。

b: 多数キャリアB は正極の方向に移動する。

c: 電圧E を高くすると電流は増加する。

d: 電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。

e: 電圧E を高くすると降伏現象が生じる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の回路で10kΩの抵抗に流れる電流が0.2mAのとき、抵抗Rの大きさは何kΩか。ただし、オペアンプは理想オペアンプとする。

1: 1

2: 2

3: 4

4: 5

5: 10

図の回路のキャパシタに蓄えられているエネルギー[J]はどれか。

1: CRI^2

2: CR/2I^2

3: I/2CR

4: CIR/4

5: CI^2R^2/2

図Aの電池の等価回路における端子電圧Vと電流Iの関係を図Bに示す。電池の内部抵抗j [Ω］はどれか。（医用電気電子工学）

1: 0.3

2: 0.6

3: 1.2

4: 2.4

5: 3

図の回路で正しいのはどれか。

1: 時定数は$\frac{1}{CR}$である。

2: 低域(通過)フィルタとして動作する。

3: 入力電圧の周波数が0に近づくと入力電圧と出力電圧の位相差は0に近づく。

4: コンデンサに流れる電流は入力電圧より位相が遅れる。

5: 遮断周波数では出力電圧の振幅は入力電圧の振幅のである。

100Ω、電力容量1Wの抵抗と50Ω、電力容量2Wの抵抗とを直列に結線し、これに電源を接続した。加えられる最大の電源電圧はどれか。

1: 10V

2: 15V

3: 20V

4: 25V

5: 30V

内部抵抗r＝2kΩ、最大目盛1Vの直流電圧計Ⓥに、図のように抵抗R1とR2を接続し、端子b、d間で最大10V、端子c、d間で最大100Vの電圧が計測できるようにしたい。抵抗R1とR2の組合せで正しいのはどれか。ただし、選択肢は【R1】 -- 【R2】とする。

1: 18KΩ -- 180KΩ

2: 18KΩ -- 198KΩ

3: 18KΩ -- 200KΩ

4: 20KΩ -- 180KΩ

5: 20KΩ -- 200KΩ

i（t）=10√2sin（40πt-π/6）［mA］で表される交流電流について誤っているのはどれか。

1: 振　幅：14.1mA

2: 周波数：40Hz

3: 位相遅れ：30°

4: 角周波数：126rad/s

5: 実効値：10mA

図の回路について正しいのはどれか。

図の回路でコンデンサC2の両端電圧［V］はいくらか。

1: 3

2: 5

3: 10

4: 15

5: 20

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

図の四端子法によって被測定線R の抵抗を測定した。電流計の指針が0.25A、内部抵抗1MΩ の電圧計の指針が0.05V であった。被測定線R の抵抗値[Ω] はどれか。ただし、r1-r4 は測定リードの抵抗および接続部の接触抵抗である。

1: 0.1

2: 0.2

3: 0.3

4: 0.4

5: 0.5

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図1の電圧Viを入力したとき、図2の電圧VOを出力する回路はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。