第11回国試午後17問の類似問題

国試第35回午後:第51問

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第34回午前:第53問

LED について正しいのはどれか。

a: 発光強度は流した電流に比例する。

b: 2 つの端子に極性はない。

c: 発光効率は白熱電球と同等である。

d: 発光波長は使用する半導体材料により異なる。

e: 電流と電圧の関係は指数関数にしたがう。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第27回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第23回午前:第37問

レーザ光について正しいのはどれか。

a: Arレーザは網膜で吸収される。

b: ArFエキシマレーザは角膜で吸収される。

c: CO2レーザは深部凝固に適している。

d: 低出力半導体レーザは精密切開に適している。

e: Nd:YAGレーザ(基本波)はHe-Neレーザより組織侵達度が大きい。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第7回午前:第58問

正しいのはどれか。

a: 熱伝導はあらゆる種類の物質に認められる現象である。

b: 銀はダイヤモンドより熱伝導率が大きい。

c: ステンレスは銀より熱伝導率が大きい。

d: 熱対流は真空中でも認められる現象である。

e: 熱放射は電磁波の形で熱が移動する現象である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第12回午後:第12問

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第18回午前:第57問

光起電力効果を用いて測定するトランスデューサはどれか。(生体計測装置学)

a: 光電池

b: ホトダイオード

c: CdSセル

d: HgCdTe

e: サーモパイル

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第11回午後:第78問

正しいのはどれか。

1: 熱伝導は固体にのみ認められる。

2: 体外循環における熱交換は主に熱対流による。

3: 熱対流は流体以外にも認められる。

4: 熱放射は電磁波の形で熱が伝わる。

5: 高温の物体ほど波長の長い電磁波を出す。

ME2第36回午前:第32問

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

国試第15回午前:第52問

正しい組合せはどれか。

a: 光電脈波計 ――― CdS ―――------ 電気抵抗

b: サーモグラフ ―― HgCdTe ―-―---- 電気抵抗

c: シンチグラフ ―― NaI ―――-------- 光

d: 心磁計 ――---- ホール素子 ―----― 静電容量

e: pHメータ ―----- アンチモン電極 ―― 静電容量

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第8回午後:第21問

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第23回午後:第35問

正しい組合せはどれか。

a: Ho:YAGレーザ --------- 液体レーザ

b: Arレーザ -------------- 気体レーザ

c: Ga-Al-Asレーザ -------- 半導体レーザ

d: Nd:YAGレーザ --------- 気体レーザ

e: ArFエキシマレーザ ----- 固体レーザ

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第21回午後:第12問

発光素子はどれか。

1: ホトダイオード

2: サイリスタ

3: LED

4: CdS

5: CCD

国試第4回午後:第19問

正しいのはどれか。

a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。

c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。

d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。

e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第50問

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

国試第11回午後:第18問

誤っているのはどれか。

1: 硫化カドミウム(CdS)素子は可視光を検出できる。

2: サイリスタは超音波発生素子である。

3: 電荷結合素子(CCD)は画像入力に用いられる。

4: 差動トランスは変位計測に用いられる。

5: サーミスタは温度センサである。

国試第11回午前:第50問

正しい組合せはどれか。

a: 光電脈波計 ―――― CdSe ―――――― 電気抵抗

b: サーモグラフ ―――- HgCdTe ――――- 電気抵抗

c: シンチグラフ ―――--N――――――― 光

d: 心磁計 ―――――― ホール素子 ―――― 静電容量

e: pHメータ ――――-- クラーク電極 ―――― 電流

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第8回午後:第22問

正しいのはどれか。

a: pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。

b: CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。

c: LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。

d: エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。

e: 光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第4回午後:第63問

電気メスについて正しいのはどれか。

1: 高周波電流を使用する。

2: 電流による放射(輻射)熱を利用する。

3: 切開にはバースト波を使用する。

4: 凝固には連続正弦波を使用する。

5: 対極板は能動電極ともいう。

国試第30回午前:第35問

正しい組合せはどれか。

a: Ho:YAGレーザ --------------- 液体レーザ

b: Arレーザ -------------------- 気体レーザ

c: Ga-Al-As -------------------- 半導体レーザ

d: Nd:YAGレーザ --------------- 気体レーザ

e: ArFエキシマレーザ ----------- 固体レーザ

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e