正しいのはどれか。
a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。
b: 液晶は発光素子である。
c: ツェナーダイオードは可視光センサである。
d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。
e: ホトダイオードは光通信に用いられている。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。
a: 液晶は表示装置に利用される。
b: CCDは撮像装置に利用される。
c: サイリスタはアナログ増幅素子である。
d: 硫化カドミウム(CdS)セルは超音波素子である。
e: ホトトランジスタは発光素子である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
a: CMOS回路は消費電力が少ない。
b: LEDはpn接合の構造をもつ。
c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
a: 液晶は表示装置に用いられる。
b: CCD(電荷結合素子)は表示装置に用いられる。
c: CRTは受光素子である。
d: サイリスタは電源回路に用いられる。
e: 光電子増倍管は受光素子である。
光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。
1: 光ファイバは発光する線維の一種である。
2: 半導体レーザは発光素子の一種である。
3: CCDは光の波長を区別して三原色を検出する。
4: 発光ダイオードはレーザメスに用いられる。
5: 太陽電池は主に熱を電気に変換する。
a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
誤っているのはどれか。
1: 硫化カドミウム(CdS)素子は可視光を検出できる。
2: サイリスタは超音波発生素子である。
3: 電荷結合素子(CCD)は画像入力に用いられる。
4: 差動トランスは変位計測に用いられる。
5: サーミスタは温度センサである。
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
半導体素子について正しいのはどれか。
a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。
b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。
c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。
d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。
e: 熱電対は半導体素子である。
1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。
2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。
3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。
4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。
5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。
電子素子について正しいのはどれか。
a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。
b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。
c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。
d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。
e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。
1: 太陽電池は発光素子の一種である。
2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。
3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。
4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。
5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。
a: LEDの発光強度は加えた電圧に比例する。
b: LEDの発光波長は流した電流に比例する。
c: LEDの順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。
d: フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。
e: フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。
ダイオードについて誤っているのはどれか。
1: p形とn形の半導体が接合した構造である。
2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。
a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
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