jを虚数単位とするとき、複素数$\frac{1}{a+jb}$に等しいのはどれか。ただし、|a+jb|=Kとする。
1: $\frac{a}{K}-j\frac{b}{K}$
2: $\frac{a}{K}+j\frac{b}{K} $
3: $\frac{a}{K^2}-j\frac{b}{K^2}$
4: $\frac{a}{K^2}+j\frac{b}{K^2}$
5: $\frac{a^2+b^2}{K^2}-j\frac{2ab}{K^2}$
FETのゲート電圧(VGS)に対するドレーン電流(ID)の特性を測定した。正しいのはどれか。
正弦波電圧(V sin2πft)について正しいのはどれか。
a: 電圧の実効値はV/2である。
b: 抵抗Rに電圧を印加したとき消費される平均電力はRV2/2である。
c: インダクタンスLのコイルに電圧を印加したとき、流れる電流の最大振幅はV/(2πfL)である。
d: 静電容量Cのコンデンサに電圧を印加したとき、流れる電流の最大振幅は2πfCVである。
e: コンデンサに電圧を印加したとき、流れる電流の位相は電圧の位相と同じである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
空芯ソレノイドA、B、C、Dがある。インダクタンスLの大小関係で正しいのはどれか。ただし、漏れ磁束はないものとする。
1: C>D>B>A
2: B>C>A>D
3: B>D>A>C
4: C>B>D>A
5: D>C>B>A