第11回国試午後13問の類似問題

国試第12回午前:第82問

図に示す電流の測定で正しいのはどれか。

12AM82-0

a: 1:接地漏れ電流

b: 2:患者漏れ電流

c: 3:患者測定電流

d: 4:外装漏れ電流

e: 5:外装漏れ電流

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第29回午後:第53問

ツェナー電圧2Vのツェナーダイオードを含む図の回路の電流電圧特性で正しいのはどれか。

29PM53-0 29PM53-1

国試第8回午後:第21問

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第24回午前:第52問

正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。