医用電気電子工学の過去問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。

2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。

4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。

図の回路においてSを閉じて十分に時間が経過した後のC1のエネルギーはどれか。ただし、C1とC2の容量は同じで、Sが閉じる前のC1には1Jのエネルギーが蓄えられており、C2のエネルギーは0Jであったとする。

1: 0 J

2: 1/2 J

3: 1/3 J

4: 1/4 J

5: 1/8 J

図の回路の共振周波数に最も近いのはどれか。

1: 16kHz

2: 100 kHz

3: 160 kHz

4: 1 MHz

5: 1.6 MHz

図の回路の働きとして正しいのは

1: クランプ回路

2: 微分回路

3: 発振回路

4: 高城(通過)フィルタ

5: 低減(通過)フィルタ

正弦波電圧（Vosin2πft）について正しいのはどれか。

a: 電圧の実効値はVo/2である。

b: 抵抗Rに電圧を印加したとき消費される平均電力はRVo2/2ある。

c: インダクタンスLのコイルに電圧を印加したとき、流れる電流の振幅はVo/(2πfL)である。

d: 静電容量Cのコンデンサに電圧を印加したとき流れる電流の振幅は2πfCVoである。

e: コンデンサに電圧を印加したとき、流れる電流の位相は電圧の位相と同じである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のような電流Iがコンデンサに流れた。蓄えられる電荷の量はどれか。

1: 4C

2: 5C

3: 6C

4: 7C

5: 8C

100Vの電圧を加えると50Wの電力を消費する抵抗器に、1Aの電流を流したときの消費電力はどれか。

1: 100 W

2: 200 W

3: 300 W

4: 400 W

5: 500 W

図の回路でR2を流れる電流は0.4Aである。電源電圧Eはどれか。

1: 1.0 V

2: 1.6 V

3: 2.0 V

4: 2.4 V

5: 3.0 V

それぞれ1Aの平行電流が真空中に存在する。1m離れているときの電流間に働く力は、2m離れているときの力の何倍か。

1: 0.25

2: 0.5

3: 1

4: 2

5: 4

図に示すインダクタ（コイル）に電流Iをながすとき正しいのはどれか。

1: 磁心中の磁束の時間的変化率に比例した逆起電力が発生する。

2: 電流Iに逆比例した逆起電力が発生する。

3: 電流Iを2倍にすると磁心中の磁束は4倍になる。

4: 巻数Nを2倍にするとインダクタンスは2倍になる。

5: 磁心の透磁率が大きいほどインダクタンスは小さい。

平行平板コンデンサについて正しいのはどれか。

1: 極板面積を2倍にすると容量は1/2倍になる。

2: 極板間距離を2倍にすると容量は1/2倍になる。

3: 極板間にはさむ誘電体の誘電率を2倍にすると容量は1/2倍になる。

4: 同じ容量のコンデンサを2個並列に接続すると合成容量は1/2倍になる。

5: 加える交流電圧の周波数を2倍にすると容量は1/2倍になる。

10μCと20μCの点電荷が0.5m離れている。この電荷間に働く力はどれか。ただし、1/4πε0＝9×109Nm2C-2とする。

1: 0.0072 N

2: 0.072 N

3: 0.72 N

4: 7.2 N

5: 72 N