LED について正しいのはどれか。
a: 発光強度は流した電流に比例する。
b: 2 つの端子に極性はない。
c: 発光効率は白熱電球と同等である。
d: 発光波長は使用する半導体材料により異なる。
e: 電流と電圧の関係は指数関数にしたがう。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
レーザ光について正しいのはどれか。
a: Arレーザは網膜で吸収される。
b: ArFエキシマレーザは角膜で吸収される。
c: CO2レーザは深部凝固に適している。
d: 低出力半導体レーザは精密切開に適している。
e: Nd:YAGレーザ(基本波)はHe-Neレーザより組織侵達度が大きい。
正しいのはどれか。
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。
b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。
c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。
d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。
e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
電極法による化学分析について正しいのはどれか。
a: 電気化学の原理を利用している。
b: 半導体製造技術を利用したセンサを用いることができる。
c: 繰り返し使用する場合の信頼性が高い。
d: 化学シフトの測定にも用いられる。
e: 控訴を付加した電極も用いられる。
a: CMOS回路は消費電力が少ない。
b: LEDはpn接合の構造をもつ。
c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
電気メスについて正しいのはどれか。
1: 高周波電流を使用する。
2: 電流による放射(輻射)熱を利用する。
3: 切開にはバースト波を使用する。
4: 凝固には連続正弦波を使用する。
5: 対極板は能動電極ともいう。
誤っているのはどれか。
1: 硫化カドミウム(CdS)素子は可視光を検出できる。
2: サイリスタは超音波発生素子である。
3: 電荷結合素子(CCD)は画像入力に用いられる。
4: 差動トランスは変位計測に用いられる。
5: サーミスタは温度センサである。
a: 熱伝導はあらゆる種類の物質に認められる現象である。
b: 銀はダイヤモンドより熱伝導率が大きい。
c: ステンレスは銀より熱伝導率が大きい。
d: 熱対流は真空中でも認められる現象である。
e: 熱放射は電磁波の形で熱が移動する現象である。
1: 熱伝導は固体にのみ認められる。
2: 体外循環における熱交換は主に熱対流による。
3: 熱対流は流体以外にも認められる。
4: 熱放射は電磁波の形で熱が伝わる。
5: 高温の物体ほど波長の長い電磁波を出す。
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4: n型半導体の多数キャリアは電子である。
5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。
a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。
b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。
e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
a: フロッピーディスクは薄い円板に磁性体を塗布したものである。
b: CD-ROMはレーザ光の干渉を利用して書き込みを行う。
c: ハードディスクは書換えできない。
d: 光磁気ディスク(MO)は光化学反応を利用している。
e: ディジタルビデオディスク(DVD)の読み出しにはレーザ光を用いる。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
a: 遠赤外光は組織をよく透過する。
b: 超音波の組織による減衰は波長が短いほど大きい。
c: エックス線CTの画像はエックス線の吸収係数の像である。
d: ガンマ線は組織で吸収されない。
e: マイクロ波は組織をほとんど透過しない。
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