正しい組合せはどれか。
a: ESWL 音 波
b: 除細動器 パルス波
c: 電気メス 高周波
d: 電気焼灼器 極超短波
e: IABP 超音波
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
誤っている組合せはどれか。
1: 血圧 ―――――― パルスオキシメトリ
2: 呼気ガス ―――― 赤外線吸光分析法
3: 心拍出量 ―――― フィック法
4: Po2 ―――――― ポーラログラフィ
5: 血液pH ―――― ガラス電極法
図のPN接合で正しいのはどれか。
a: 多数キャリアAには右方向に力が作用する。
b: 多数キャリアBは電子である。
c: 電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。
d: 電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。
e: 電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図に示す電流の測定で正しいのはどれか。
a: 1:接地漏れ電流
b: 2:患者漏れ電流
c: 3:患者測定電流
d: 4:外装漏れ電流
e: 5:外装漏れ電流
正しいのはどれか。
a: 生体電気信号の導出には単極誘導と双極誘導とがある。
b: 金属と電解質との接触面の静止電位は材質にかかわらず一定である。
c: 皮膚インピーダンスは抵抗と電気容量との直列回路で近似される。
d: ArAgCl電極は不分極電極として生体用電極に用いられる。
e: 電極接触インピーダンスは周波数依存性を示す。
体温計測器とセンサの組合せで正しいのはどれか。
1: 耳式赤外線体温計 -- サーミスタ
2: 腋窩用電子体温計 -- サーモパイル
3: 深部体温計 -- 白金測温抵抗体(Pt100)
4: 鼻咽頭温モニタ -- ボロメータ
5: サーモグラフ -- HgCdTe
a: 乾熱滅菌 ――――――――--------- 窒素ガス
b: 煮沸滅菌 ――――――――--------- エチルアルコール
c: エチレンオキサイドガス(EOG)滅菌 ―― エアレーション
d: 放射線滅菌 ―――――――--------- コバルト60
e: 高圧蒸気滅菌 ――――――--------- 真空工程
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
図のpn 接合で正しいのはどれか。
a: 多数キャリアA は正孔である。
b: 多数キャリアB は正極の方向に移動する。
c: 電圧E を高くすると電流は増加する。
d: 電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。
e: 電圧E を高くすると降伏現象が生じる。
光起電力効果を用いて測定するトランスデューサはどれか。(生体計測装置学)
a: 光電池
b: ホトダイオード
c: CdSセル
d: HgCdTe
e: サーモパイル
抵抗変化を利用する素子はどれか。
a: サーミスタ
b: CdS
c: ホール素子
d: 熱電対
e: 圧電素子
電極法による化学分析について正しいのはどれか。
a: 電気化学の原理を利用している。
b: 半導体製造技術を利用したセンサを用いることができる。
c: 繰り返し使用する場合の信頼性が高い。
d: 化学シフトの測定にも用いられる。
e: 控訴を付加した電極も用いられる。
図の回路で消費される正弦波交流電力を求めるため測定を行った。適切でないのはどれか。
a: 抵抗値と抵抗の端子間電圧
b: 抵抗値と回路を流れる電流
c: 容量値と回路の全電圧
d: 抗の端子間電圧と回路の全電圧
e: 電流と回路の全電圧および両者の位相差
光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。
1: 光ファイバは発光する線維の一種である。
2: 半導体レーザは発光素子の一種である。
3: CCDは光の波長を区別して三原色を検出する。
4: 発光ダイオードはレーザメスに用いられる。
5: 太陽電池は主に熱を電気に変換する。
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
次の組合せで正しいのはどれか。
1: Pa -- N・m-1
2: J -- N・m2
3: W -- J・s
4: F -- C・V
5: H -- Wb・A-1
a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。
b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。
c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。
d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。
e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。
物理量と単位との組合せで誤っているのはどれか。
1: 応 力 N/m2
2: 静電容量 C/V
3: コンダクタンス V/A
4: インダクタンス Wb/A
5: 吸収線量 J/kg
a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
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