第8回国試午後20問の類似問題

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1: n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 

2: p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 

3: 真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 

4: 真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 

5: 共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。 

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

誤っているのはどれか。

1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。

2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。

3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。

4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。

5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

受光素子でないのはどれか。（電子工学）

1: ホトトランジスク

2: 光導電素子

3: 太陽電池

4: CCD

5: レーザダイオード

発光素子はどれか。

1: ホトダイオード

2: サイリスタ

3: LED

4: CdS

5: CCD

正しいのはどれか。（電子工学）

a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。

b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。

c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。

e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に用いられる。

b: CCD(電荷結合素子)は表示装置に用いられる。

c: CRTは受光素子である。

d: サイリスタは電源回路に用いられる。

e: 光電子増倍管は受光素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 金属中を流れる電流は正負2種類の電荷で構成される。

b: 半導体の導電率は温度が高くなると増加する。

c: 半導体の導電率は含まれる不純物元素の種類や量に依存する。

d: 金属の導電率は温度が低くなると減少する。

e: 半導体の導電率は周波数とは無関係である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電極法による化学分析について正しいのはどれか。

a: 電気化学の原理を利用している。

b: 半導体製造技術を利用したセンサを用いることができる。

c: 繰り返し使用する場合の信頼性が高い。

d: 化学シフトの測定にも用いられる。

e: 控訴を付加した電極も用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。

2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。

3: 温度が上昇すると導電率は減少する。

4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。

5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。

一様な電界に置かれた導体について正しいのはどれか。ただし、真空中とする。

a: 導体表面に電荷が現れる。

b: 導体内の電界の大きさは0となる。

c: 導体内の自由電子は電界の方向へ移動する。

d: 導体内では誘電分極が起こる。

e: 電界の方向は導体表面との接線方向となる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

正しいのはどれか。

a: pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。

b: CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。

c: LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。

d: エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。

e: 光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

レーザ光について正しいのはどれか。

a: Arレーザは網膜で吸収される。

b: ArFエキシマレーザは角膜で吸収される。

c: CO2レーザは深部凝固に適している。

d: 低出力半導体レーザは精密切開に適している。

e: Nd:YAGレーザ(基本波)はHe-Neレーザより組織侵達度が大きい。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

抵抗変化を利用する素子はどれか。

a: サーミスタ

b: CdS

c: ホール素子

d: 熱電対

e: 圧電素子

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

LED について正しいのはどれか。

a: 発光強度は流した電流に比例する。

b: 2 つの端子に極性はない。

c: 発光効率は白熱電球と同等である。

d: 発光波長は使用する半導体材料により異なる。

e: 電流と電圧の関係は指数関数にしたがう。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e