第8回国試午後20問の類似問題

国試第13回午後:第12問

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1: p形とn形の半導体が接合した構造である。

2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。

3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。

4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。

5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。

国試第5回午後:第14問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

1: ある領域を導体で囲めば磁力線は外部にもれない。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 超伝導体はシールド効果をもたない。

4: 誘電率が大きい材料は磁気をシールドするのに適している。

5: 良導体は電磁波をシールドするのに適している。