電子回路の過去問


国試第22回午前:第52問

定電圧ダイオードとして使われるのはどれか。

1: フォトダイオード

2: 発光ダイオード

3: ツェナーダイオート

4: 可変容量ダイオード

5: トンネルダイオード

国試第21回午後:第17問

図の回路に、周波数fの正弦波電圧viを入力した。出力電圧voについて正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器、fo = 1 / 2πCfRf とする。

21PM17-0

a: fがfoより十分小さければ vo = -(Rf/Ri) vi となる。

b: fがfoより十分大きければ vo = -(Rf/Ri)vi となる。

c: f = fo でvoの振幅は最大となる。

d: fがfoより十分小さければvoの振幅は0に近づく。

e: fがfoより十分大きければvoの振幅は0に近づく。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第21回午後:第16問

図の回路において入力電圧Viと出力電圧Voの関係を表す式はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

21PM16-0

1: $V_{0}=-\frac {1}{CR}\frac {dV_{i}}{dt}$

2: $V_{0}=-CR\frac {dV_{i}}{dt}$

3: $V_{0}=-\frac {1}{CR}\int V_{i}dt$

4: $V_{0}=-CR\int V_{i}dt$

5: $V_{0}=-\frac {R}{C}\int V_{i}dt$

国試第21回午後:第15問

図の回路はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

21PM15-0

1: 差動増幅回路

2: 反転増幅回路

3: 非反転増幅回路

4: 微分回路

5: 積分回路

国試第21回午後:第14問

図1に示す正弦波電圧viを図2の端子AB間に入力するとき、端子CD間の電圧波形voはどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

21PM14-0

国試第21回午後:第13問

半導体について正しいのはどれか。

a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。

b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。

c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。

d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

e: pn接合は発振作用を示す。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第21回午後:第12問

発光素子はどれか。

1: ホトダイオード

2: サイリスタ

3: LED

4: CdS

5: CCD

国試第21回午前:第53問

同相入力雑音電圧が1Vの環境下で1mVの心電図を記録した。信号出力は100mV、同相雑音出力は10mVであった。同相除去比(CMRR)はどれか。

1: 100dB

2: 80dB

3: 60dB

4: 40dB

5: 20dB

国試第20回午後:第17問

基本周波数が異なる波形はどれか。(電子工学)

20PM17-0

国試第20回午後:第16問

差動増幅器の2つの入力端子間に振幅100mVの同相信号と振幅10mVの逆相信号 を同時に入力した。このとき出力では同相信号が10mVに減衰し、逆相信号は1Vに増幅されていた。この増幅器のCMRR(同相除去比)はどれか。(電子工学)

1: 20dB

2: 40dB

3: 60dB

4: 100dB

5: 300dB

国試第20回午後:第15問

図の回路で入力端子a、bそれぞれに同時に同じ電圧Viの入力信号を加えた。出力信号VOの電圧はどれか。ただしAは理想演算増幅器とする。(電子工学)

20PM15-0

1: -2Vi

2: -4Vi

3: -6Vi

4: -12Vi

5: -18Vi

国試第20回午後:第14問

図の回路で出力電圧V0はどれか。ただし、入力電圧V1=+0.1V、V2=+0.3V、Aは理想演算増幅器とする。(電子工学)

20PM14-0

1: -2V

2: -1V

3: 0V

4: +1V

5: +2V

国試第20回午後:第13問

受光素子でないのはどれか。(電子工学)

1: ホトトランジスク

2: 光導電素子

3: 太陽電池

4: CCD

5: レーザダイオード

国試第20回午後:第12問

正しいのはどれか。(電子工学)

a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。

b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。

c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。

e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第19回午後:第19問

図の回路は、端子A、Bの電圧の高低に従って端子Xに高か低の信号を出力する。信号電圧の高(E[V])および低(0[V])をそれぞれ1、0で表すと、正しい真理値表はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。(電子工学)

19PM19-0 19PM19-1

国試第19回午後:第18問

図の回路において出力Voの値はどれか。なお、Aは理想演算増幅器とする。(電子工学)

19PM18-0

1: 0.5V

2: 1.0V

3: 1.5V

4: 2.0V

5: 3.0V

国試第19回午後:第17問

CMRR(同相除去比)60dBの差動増幅器に1Vの同相信号を入力したとき、出力が0.1Vであった。この増幅器に逆相信号1mVを入力したとき、出力はどれか。(電子工学)

1: 1mV

2: 10mV

3: 100mV

4: 1V

5: 10V

国試第19回午後:第16問

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。(電子工学)

19PM16-0

a: 入力インピーダンスは大きい。

b: 入力と出力は逆位相である。

c: 反転増幅回路である。

d: 入力は正電圧でなければならない。

e: 入力電圧の1倍が出力される。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第19回午後:第15問

図のフィルタ回路の時定数は100 μs である。この回路の高域遮断周波数に最も近いのはどれか。(電子工学)

19PM15-0

1: 0.80kHz

2: 1.6kHz

3: 3.2kHz

4: 6.4kHz

5: 12.8kHz

国試第19回午後:第14問

図の回路において入力Viと出力Voの関係を示す式はどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。(電子工学)

19PM14-0

1: $v_0=-\frac{1}{CR}\int{v_idt}$

2: $v_0=-CR\int{v_idt}$

3: $v_0=-\frac{R}{C}\int{v_idt}$

4: $v_0=-\frac{1}{CR}\frac{dv_i}{dt}$

5: $v_0=-CR\frac{dv_i}{dt}$