電子回路の過去問


国試第29回午前:第53問

図の回路で入力電圧Vi と出力電圧Vo の関係を表す式はどれか。ただし、A は理想演算増幅器とする。

29AM53-0

国試第29回午前:第52問

図の回路で20 kΩ の抵抗にかかる電圧が2 V のとき、Vi とVo の値で正しいのはどれか。ただし、A は理想演算増幅器とする。

29AM52-0

国試第29回午前:第51問

図のpn 接合で正しいのはどれか。

29AM51-0

a: 多数キャリアA は正孔である。

b: 多数キャリアB は正極の方向に移動する。

c: 電圧E を高くすると電流は増加する。

d: 電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。

e: 電圧E を高くすると降伏現象が生じる。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第28回午後:第54問

差動増幅器の入力端子間に 2mV を入力したとき、4V の出力が得られた。この入力端子を短絡し、入力端子とアースの間に 1V を入力したとき、200mV の出力が得られた。この差動増幅器の同相除去比(CMRR) [dB]はどれか。

1: 20

2: 40

3: 60

4: 80

5: 100

国試第28回午後:第53問

図の回路において出力電圧 Vo [V] はどれか。ただし、入力電圧 V1 = 20 mV、V2 = 10 mV、Aは理想演算増幅器とする。

28PM53-0

1: -10

2: -1

3: 1

4: 10

5: 100

国試第28回午後:第52問

図の回路は、電圧増幅度 26 dB、入力抵抗 100 kΩ の増幅回路である。抵抗 R1と R2 の組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器で、log10 2 = 0.3 とする。

28PM52-0

1: R1 = 5 kΩ、 R2 = 100 kΩ

2: R1 = 100 kΩ、 R2 = 1 MΩ

3: R1 = 100 kΩ、 R2 = 2 MΩ

4: R1 = 200 kΩ、 R2 = 4 MΩ

5: R1 = 200 kΩ、 R2 = 6 MΩ

国試第28回午後:第51問

理想演算増幅器について正しいのはどれか。

a: 周波数帯域幅は無限大である。

b: 出力インピーダンスは無限大である。

c: 同相除去比(CMRR)はゼロである。

d: 入力端子に流れ込む電流はゼロである。

e: スルーレートは無担大である。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第28回午後:第50問

全波整流回路として正しく動作するのはどれか。

28PM50-0

国試第28回午前:第56問

図1の電圧 Vi を 図2の回路に入力したときの出力電圧 Vo 波形はどれか。ただし、A は理想演算増幅器とし、Vo の初期値は 0V、CR = 1s とする。

28AM56-0

国試第28回午前:第55問

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器である。

28AM55-0

a: 入力インピーダンスは無限大である。

b: 電圧増幅度は0 dBである。

c: 入力電圧viと出力電圧voは逆位相である。

d: 正帰還が用いられている。

e: インピーダンス変換の働きをする。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第28回午前:第54問

一次電池はどれか。

a: リチウムイオン電池

b: 太陽電池

c: 酸化銀電池

d: マンガン電池

e: ニッケル水素電池

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第28回午前:第53問

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第27回午後:第56問

図のような2段構成の増幅器の入力Viに振幅1mVの信号を入力したところ出力VOの振幅は1Vであった。増幅器1の増幅度が26 dB であるとき、増幅器2の増幅度[dB]はどれか。

27PM56-0

1: 14

2: 20

3: 34

4: 46

5: 50

国試第27回午後:第55問

図の回路について、正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

27PM55-0

a: 時定数は20 msである。

b: 通過域での増幅度は20 である。

c: 直流成分はカットされる。

d: コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。

e: 入力インピーダンスは抵抗R1とR2で決まる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第27回午後:第54問

図は照度計などに用いられるフォトダイオードを用いた光計測回路であり、入射光強度に比例した電圧が出力される。この回路がもつ機能はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とし、フォトダイオードは入射光に応じた電流を出力するものとする。

27PM54-0

1: 電圧電流変換

2: 電圧増幅

3: 電流電圧変換

4: 乗 算

5: 加減算

国試第27回午後:第53問

図1の回路において図2に示す電圧V1とV2を入力した場合、出力電圧V0の波形で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

27PM53-0 27PM53-1

国試第27回午前:第54問

図に示した回路と同じ機能を持つ論理回路はどれか

27AM54-0 27AM54-1

国試第27回午前:第53問

信号電圧が2V、SN比が66 dB である電子回路の雑音電圧[mV]はどれか。ただし、log10 2 =0.3とする。

1: 1

2: 2

3: 10

4: 20

5: 100

国試第27回午前:第52問

図の回路で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器である。

27AM52-0

a: 増幅度は-R2/R1である。

b: 入力抵抗はR1である。

c: 抵抗R1と抵拭R2に流れる電流は等しい。

d: 抵抗R1に加わる電圧は入力電圧v1に等しい。

e: 出力抵抗はゼロである。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第27回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e