電子回路の過去問

図に示す演算増幅器を用いた回路の近似的な電圧の増幅度（利得）として正しいのはどれか。

1: -0.1

2: -1

3: -10

4: -20

5: ?100

演算増幅器について正しいのはどれか。

1: 演算増幅器そのものの電圧利得は1である。

2: 通常は正帰還をかけて使用する。

3: 抵抗、コンデンサを付加しても積分回路を構成できない。

4: 交流信号は増幅できない。

5: インピーダンス変換回路を構成できる。

交流電圧を加えたとき電力を消費するのはどれか。

a: 抵抗

b: キャパシタンス

c: インダクタンス

d: 理想的な変圧器

e: 筋肉組織

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

オプトエレクトロニクスについて正しいのはどれか。

a: ホトトランジスタを用いて光信号を電気信号に変えることができる。

b: 太陽電池を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

c: 半導体レーザは大出力が出せるのでレーザメスなどに用いられる。

d: 位相のそろった光を発生するには発光ダイオードを用いればよい。

e: 光電子増倍管はアルゴンなどを封入した気体レーザの一種である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

CMRR（同相弁別比）について正しいのはどれか。

a: 差動増幅器の性能を表すパラメータの一つである。

b: 心電計の初段のCMRRは小さい方がよい。

c: CMRRが大きいほど安定度が高く、発振しにくい。

d: 帯域幅と利得の積で定義される。

e: 差動入力に対する利得と同相入力に対する利得の比で定義される。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

負帰還増幅器の利点はどれか。

1: 大振幅出力が得られる。

2: 利得が大きい。

3: 消費電力が少ない。

4: 周波数特性が良い。

5: 発振しやすい。

演算増幅器について正しいのはどれか。

a: 通常は正帰還をかけることにより必要な増幅度を実現する。

b: 差動入力端子を有している。

c: コンデンサ、抵抗と組み合わせて積分回路、微分回路などが簡単につくれる。

d: 直流信号は増幅できない。

e: 本質的に増幅器であるから、インピーダンス変換回路はつくれない。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子回路による電気信号の増幅について正しいのはどれか。

1: ダイオードを用いると電気信号を増幅することができる。

2: 増幅器において信号電圧が増幅されているとき、出力信号電流は必ず入力信号電流より小さい。

3: 信号電圧も信号電流も出力が入力より大きくなるような増幅器をつくることができる。

4: 雑音を含む信号でも増幅すると、一般に、信号対雑音比が向上する。

5: 一般に、電圧増幅器は出力インピーダンスが大きい方が使いやすい。

図の回路のVi[V]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

1: -2

2: -1

3: 0

4: 1

5: 2

図のように接続された二つの増幅器において、A2の増幅度が34 dB であるとき、V1[mV]はどれか。ただし、log2 ＝ 0.3とする。

1: 2

2: 5

3: 20

4: 50

5: 200

ツェナー電圧3Vのツェナーダイオードを含む図の回路のV1とV2の関係を示すグラフはどれか。

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

a: 時定数は10msである。

b: 通過域の増幅度は20 である。

c: 遮断周波数ではViとVoの位相差はゼロである。

d: 入カインピーダンスは周波数に反比例する。

e: 遮断周波数より十分に高い帯域で積分特性を有する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

起電力を生じるデバイスはどれか。

a: 有機EL

b: CdS

c: サーミスタ

d: ホール素子

e: 熱電対

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図1の回路において図2に示す電圧V1とV2を入力した場合、出力電圧VOの波形で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

信号源の電圧Vbを図の増幅回路(増幅度K)で計測する。出力　VO　≒　KVbとなる条件はどれか。ただし、増幅回路の入力抵抗をRin、信号源の内部抵抗をRb、リード線の抵抗をReとする。

1: Rin ≪ (Rb + Re)

2: Rin = (Rb + Re)

3: Rin ≫ (Rb + Re)

4: Rb ≫ (Rin + Re)

5: Re ≫ (Rin + Rb)

図1の電圧Viを入力したとき、図2の電圧VOを出力する回路はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

差動増幅器の入力端子に振幅0.5mVの逆相信号と振幅1Vの同相信号が入力された。出力では逆相信号が1Vに増幅され、同相信号が10mVに減衰した。この差動増幅器の同相除去比(CMRR)[dB]はどれか。ただし、log102は0.3とする。

1: 66

2: 86

3: 92

4: 96

5: 106

図の回路のスイッチが、b0＝1、b1==1のときのVoはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

1: 0

2: -Vr

3: -2Vr

4: -3Vr

5: -4Vr

図の回路の入力電圧Viと出力電圧V｡の関係式(V｡/Vi)はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

1: $ -\left( 1+\frac {R_{2}}{R_{1}}\right) \cdot \frac {R_{4}}{R_{3}}$

2: $ \left( 1+\frac {R_{2}}{R_{1}}\right) \cdot \frac {R_{4}}{R_{3}}$

3: $ -\left( 1+\frac {R_{2}}{R_{1}}\right) \cdot \left( 1+\frac {R_{4}}{R_{3}}\right) $

4: $ \frac {R_{2}}{R_{1}}\cdot \frac {R_{4}}{R_{3}}$

5: $ -\frac {R_{2}}{R_{1}}\cdot \left( 1+\frac {R_{4}}{R_{3}}\right) $