電子回路の過去問


国試第26回午後:第55問

差動増幅器の2つの入力端子間に振幅100 mVの同相信号と振幅5mVの逆相信号を同時に入力した。このとき出力では同相信号が5mVに減衰し、逆相信号は1Vに増幅された。この差動増幅器のCMRR[dB]はどれか。ただし、log102 を0.3 とする。

1: 20

2: 46

3: 52

4: 66

5: 72

国試第26回午後:第53問

図のツェナーダイオード(ツェナー電圧3V)を用いた回路で抵抗Rに流れる電流I [mA]はどれか。

26PM53-0

1: 0

2: 100

3: 150

4: 250

5: 400

国試第26回午前:第54問

図の回路でVaが 5V、Vbが3Vのとき、Vc[V]はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

26AM54-0

1: -2

2: 2

3: 3

4: 5

5: 8

国試第26回午前:第53問

図に示すような波形の入力電圧viが加えられたとき、出力電圧voの波形を出力する回路はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

26AM53-0

国試第26回午前:第52問

図の回路において時刻t = 0sでスイッチを閉じた。出力電圧V0の経過を表す式はどれか。ただし、コンデンサの初期電荷はゼロとし、Aは理想演算増幅器とする。

26AM52-0

1: V0 = 2t

2: V0 = -2t

3: V0 = 0

4: V0 = (1/t)

5: V0 = - (1/t)

国試第26回午前:第51問

図の回路について、入力電圧viと電圧vm間に成り立つ関係式で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

26AM51-0

1: vm = - 2vi

2: vm = -vi

3: vm = 0

4: vm = vi

5: vm = 2vi

国試第26回午前:第50問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。

b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午後:第57問

図の回路は、披変調波が入力されると信号波を出力する復調回路として働く。この回路を利用する変調方式はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

25PM57-0

1: 振幅変調(AM)

2: 周波数変調(FM)

3: 位相変調(PM)

4: パルス符号変調(PCM)

5: パルス位置変調(PPM)

国試第25回午後:第56問

1Vの同相雑音が混入する環境下において、CMRRが80dBである差動増幅器に振幅1mVの信号を入力した。同相雑音の出力電圧が10 mVであるとき、信号の出力電圧の振幅[mV]はどれか。

1: 0.1

2: 1

3: 10

4: 100

5: 1000

国試第25回午後:第55問

図の回路の電圧増幅度を20dBとするとき、抵抗Rに流れる電流I[mA]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

25PM55-0

1: 0.01

2: 0.1

3: 1

4: 10

5: 100

国試第25回午後:第54問

信号源の電圧Vbを図の増幅回路(増幅度K)で計測するとき、出力VO ≒ KVbとなる条件はどれか。ただし、増幅回路の入力インピーダンスをZin、信号源の内部インピーダンスをZb、リード線のインピーダンスをZeとする。

25PM54-0

1: Zin = Zb

2: Zin ≫ (Zb + Ze)

3: Zin ≪ (Zb + Ze)

4: Zin = Ze

5: Zin = 0

国試第25回午後:第53問

図の回路の出力電圧 V [V]はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

25PM53-0

1: 1

2: 2

3: 3

4: 5

5: 6

国試第25回午前:第54問

図の回路はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25AM54-0

1: 積分回路

2: 微分回路

3: 反転増幅回路

4: 非反転増幅回路

5: 差動増幅回路

国試第25回午前:第53問

図の回路でVaが20mVのときVi[mV]とVo[mV]の正しい組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25AM53-0

1: Vi =-2 , Vo = -400

2: Vi =-1, Vo = -200

3: Vi =-1, Vo = 200

4: Vi =2 Vo = 200

5: Vi =2 Vo = 400

国試第25回午前:第52問

図Aの回路における端子電圧Vと電流Iの関係を図Bに示す。この電池に2.5Ωの負荷抵抗を接続したとき、電流 I [A]はどれか。ただし、図Aの点線内は電池の等価回路である。

25AM52-0

1: 0.3

2: 0.4

3: 0.5

4: 0.6

5: 0.7

国試第25回午前:第51問

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

25AM51-0

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード

国試第25回午前:第50問

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

国試第24回午後:第53問

図の回路の入力インピーダンスはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器、jは虚数単位、ωは角周波数とする。(医用電気電子工学)

24PM53-0

1: $ j\omega C$

2: $ \frac {1}{j\omega C}$

3: $ j\omega CR$

4: $ \frac {1}{j\omega CR}$

5: $ R+\frac {1}{j\omega C}$

国試第24回午後:第51問

図のように3Vの電池を用いて、LEDを順方向電圧2V、順方向電流20mAで発光させる場合、抵抗R[Ω]はどれか。(医用電気電子工学)

24PM51-0

1: 0.05

2: 0.1

3: 50

4: 100

5: 150

国試第24回午前:第56問

図の回路のa,bに0Vまたは5Vを入力したときのcの出力を表すのはどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオ-ドとし、表中の数字は電圧[V]を示している。(医用電気電子工学)

24AM56-0 24AM56-1 24AM56-2