電子回路の過去問

図に示す増幅器の利得はいくらか。ただし、log102＝0.3とする。

1: -66dB

2: -26dB

3: 14dB

4: 40dB

5: 66dB

図のようなインダクダンスL〔H〕、キャパシタンスC〔F〕、抵抗R〔Ω〕の並列回路について正しいのはどれか。

1: 十分高い周波数ではLのみで近似できる。

2: 十分低い周波数ではCのみで近似できる。

3: 共振周波数でのインピーダンスはR〔Ω〕である。

4: アドミタンスの絶対値の最大は1/R〔S〕である。

5: 直流での抵抗はR〔Ω〕である。

心電計の同相除去比（CMRR）が60dBのとき交流誘導雑音により20mVの電圧が患者に発生した。この電圧による記録器の振れはいくらか。ただし、心電計の感度を10mm/mVとする。

1: 200mm

2: 20mm

3: 2mm

4: 0.2mm

5: 0.02mm

正しいのはどれか。

a: pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。

b: CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。

c: LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。

d: エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。

e: 光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

演算増幅器を用いた微分回路として正しいのはどれか。

図に示す理想的な演算増幅器を用いた電圧増幅回路の利得はいくらか。

1: $\frac{2}{5}$

2: $\frac{2}{3}$

3: $\frac{3}{2}$

4: $\frac{5}{3}$

5: $\frac{5}{2}$

図に示す帰還増幅回路の総合利得で正しいのはどれか。

1: A

2: Aβ

3: $\frac{1}{1+A\beta}$

4: $\frac{A}{1+A\beta}$

5: $\frac{A}{1-A\beta}$

図に示す回路について正しいのはどれか。

a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。

b: 直流増幅回路である。

c: FET増幅回路である。

d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。

e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

定電圧ダイオードの電圧-電流特性はどれか。

演算増幅器を用いた回路として正しいのはどれか。

正しいのはどれか。

a: 差動増幅器では逆相で入った信号成分は打ち消されて出力に現れない。

b: 演算増幅器に正帰環をかけると一般に安定となる。

c: 演算増幅器は通常、負帰環をかけて使用される。

d: 演算増幅器に負帰環をかけると、ひずみが減少する。

e: 生体電気計測用増幅器には入力インピーダンスの高い回路が多く用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。

a: エミッタフォロワと呼ばれる。

b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。

c: インピーダンス変換回路として用いられる。

d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。

e: 信号の電力増幅を行うことはできない。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。

2: コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。

3: ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。

4: MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。

5: MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

光センサとして使用できないのはどれか。

1: 光電子増倍管

2: フォト・ダイオード

3: フォト・トランジスタ

4: 光ディスク

5: 太陽電池

正しいのはどれか。

a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。

b: FETを用いて論理回路は構成できない。

c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。

d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。

e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 差動増幅器では同相で入った雑音成分は打ち消されて出力に現れない。

b: 演算増幅器はきわめて利得が高いので発振しにくい。

c: 演算増幅器に負帰還をかけると利得をさらに上げることができる。

d: 生体電気計測用増幅器には入力インピーダンスの低い回路が多く用いられる。

e: 演算増幅器に負帰還をかけると一般に安定となる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。