半導体について誤っているのはどれか。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
図のPN接合で正しいのはどれか。
a: 多数キャリアAには右方向に力が作用する。
b: 多数キャリアBは電子である。
c: 電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。
d: 電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。
e: 電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
トランスデューサと基本原理の組合せについて誤っているのはどれか。
1: ISFET -- ペルチェ効果
2: SQUID -- ジョセフソン効果
3: フォトダイオード -- 光起電力効果
4: 熱電対 -- ゼーベック効果
5: PZT -- 圧電効果
電気メスについて正しいのはどれか。
a: 切開作用の原理はジュール・トムソン効果である。
b: 凝固には連続正弦波電流が適している。
c: 300kHz~5MHz程度の高周波電流が用いられる。
d: バイポーラ方式では対極板が不要である。
e: フローティング型は高周波分流に対して無効である。
正しいのはどれか。
a: 生体電気信号の導出には単極誘導と双極誘導とがある。
b: 金属と電解質との接触面の静止電位は材質にかかわらず一定である。
c: 皮膚インピーダンスは抵抗と電気容量との直列回路で近似される。
d: ArAgCl電極は不分極電極として生体用電極に用いられる。
e: 電極接触インピーダンスは周波数依存性を示す。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
a: バイポーラ電極は対極板が必要である。
b: 凝固にはバースト波を用いる。
c: 身体の部分同士の接触が分流熱傷の原因となる。
d: ペースメーカ障害の原因となる。
e: 出力電力の増加に伴い対極板の必要面積は減少する。
帯電している導体球が真空中におかれている。正しいのはどれか。ただし、導体には電流は流れておらず、すべての電荷が静止しているものとする。
1: 導体表面は等電位面である。
2: 導体内部には一様な電荷が存在する。
3: 導体内部には同心円状に電界が存在する。
4: 導体内部から放射状に電気力線が出入りする。
5: 導体球に帯電体を近づけると導体内部に電位差が生じる。
受光素子でないのはどれか。(電子工学)
1: ホトトランジスク
2: 光導電素子
3: 太陽電池
4: CCD
5: レーザダイオード
a: スプレー凝固にはバースト波が用いられる。
b: ゲルパッド型対極板は静電結合である。
c: バイポーラ電極はニードル型である。
d: 対極板は広く均一に装着する必要がある。
e: 混合モードではクレストファクタが大きいほど凝固作用は強い。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、ダイオード゙は理想的とし、入力電圧圧Viは周波数50Hz振幅1Vの正弦波とする。
1: ダイオードにかかる電圧の最大値は約2Vである。
2: ダイオードに流れる電流は正弦波である。
3: コンデンサにかかる電圧の最大値は約1.4Vである。
4: コンデンサにかかる電圧は正弦波である。
5: 抵抗を1kΩに変えるとコンデンサにかかる電圧のリップル(変動量)は減少する。
1: 電界の強さは1Cの電荷に働く力によって定義される。
2: 単一電荷によって生じる電界の強さは電荷からの距離に反比例する。
3: 単一電荷によって生じる電位は電荷からの距離の2乗に反比例する。
4: 電位は1Cの電荷を動かすのに要する力である。
5: 電位はベクトル量である。
生体電気信号増幅器の入力インピーダンスについて正しいのはどれか。
a: 入力信号の周波数に依存する。
b: 電極接触インピーダンスより充分大きくする。
c: 入力電圧と入力電流の波形から位相特性がわかる。
d: 単位にはデシベルを用いる。
e: 入力部に電界効果トランジスタを使うと小さくなる。
a: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界には影響を及ぼさない。
b: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間には反発力が生じる。
c: 発電機では磁界中で導体を動かすことにより起電力を発生させている。
d: 棒磁石を直線電流と平行に置いたとき、棒磁石は力を受けない。
e: 電子が直線電流の近くを同方向に走行していると直線電流に向かう力を受ける。
除細動器について誤っているのはどれか。
1: 動作試験には150Ωの負荷抵抗を用いる。
2: 放電回路にはインダクタが挿入されている。
3: 出力パルス幅は約5msである。
4: 通電時には電極パドルを押し付ける。
5: 電極接触不良では装着部に熱傷が起こる。
a: 電荷に働く力はその場所の電界の2乗に比例する。
b: 電界とはその場所に置かれた電子の受ける力をいう。
c: 電界の単位はV/mである。
d: 1Cの電荷を移動させるのに1Jのエネルギーが必要であるとき、その電位差を1Vという。
e: 電気力線は等電位面と常に平行である。
a: pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。
b: CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。
c: LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。
d: エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。
e: 光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。
a: 電荷に働く力はその場所の電界に比例する。
c: 電界の単位はV/m2である。
d: 電気力線と等電位線は常に平行となる。
e: 1Cの電荷を移動させるのに1J必要であるとき、の電位差を1Vという。
LED について正しいのはどれか。
a: 発光強度は流した電流に比例する。
b: 2 つの端子に極性はない。
c: 発光効率は白熱電球と同等である。
d: 発光波長は使用する半導体材料により異なる。
e: 電流と電圧の関係は指数関数にしたがう。
ダイオードについて誤っているのはどれか。
1: p形とn形の半導体が接合した構造である。
2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。
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