電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b: FETはユニポーラトランジスタである。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETは高入カインピーダンス素子である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。
1: 電圧制御型の素子である。
2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。
トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）
1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。
2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。
3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
5: FETはユニポーラトランジスタともいう。
誤っているのはどれか。
1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。
3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5: FETは可変抵抗素子としても使われる。
a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
図のように2種類の導体あるいは半導体を組み合わせ、温度差があると起電力が発生する現象はどれか。
1: ペルチェ効果
2: ジョセフソン効果
3: ホール効果
4: 圧電効果
5: ゼーベック効果
2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。
5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。
トランジスタについて誤っているのはどれか。
1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。
2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。
4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。
正しいのはどれか。
a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4: n型半導体の多数キャリアは電子である。
5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
トランスデューサの変換で誤っているのはどれか。
1: CdS：光→電気抵抗
2: サーミスタ：温 度→電気抵抗
3: ストレインゲージ：変 位→電気抵抗
4: ホール素子：磁 場→電 圧
5: 焦電素子：放射線→電 圧
トランジスタについて正しいのはどれか。
a: インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b: FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c: バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e: MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
1: FETのn形チャネルのキャリアは電子である。
2: FETは入力インピーダンスが高い。
3: エミッタはFETの端子の1つである。
4: コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。
5: バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。
