電圧増幅器の入力インピーダンスについて正しいのはどれか。
a: 入力信号の周波数に依存する。
b: センサのもつインピーダンスに対して充分低い必要がある。
c: 出力電圧と入力電圧との比である。
d: 単位にはデシベルを用いる。
e: 入力電圧と入力電流の波形からその位相特性がわかる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図のような電気系と機械系で電圧と力とを対応させたとき、その他の量の対応関係で誤っている組合せはどれか。
1: 電流 ―――――――― 速度
2: 電荷 ―――――――― 変位
3: 抵抗 ―――――――― 加速度
4: インダクタンス ―――-- 質量
5: キャパシタンス ―――-- バネ定数の逆数
正しいのはどれか。
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
電磁誘導の法則について正しいのはどれか。
a: 電荷が磁気を誘導することを表す。
b: ファラデーの法則ともいう。
c: コイルに磁石を出し入れするとコイルに起電力が発生することが説明される。
d: 直線電流の周りに磁界が発生することが説明される。
e: 磁石が鉄片を引き付けることが説明される。
出力が起電力でないセンサはどれか。
1: ストレインゲージ
2: 圧電素子
3: ホール素子
4: 熱電対
5: 光電池(ソーラセル)
1: 直線電流が発生する磁束密度を表す磁力線は同心円状である。
2: 直線電流が発生する磁束密度は電流からの距離の2乗に反比例する。
3: 円形コイルが発生する磁束密度はコイルの中心で0になる。
4: ソレノイド外部の磁束密度はソレノイドに流れる電流に反比例する。
5: ソレノイド内部の磁束密度は巻数の2乗に比例する。
トランジスタについて誤っているのはどれか。
1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。
2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。
4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。
図は照度計などに用いられるフォトダイオードを用いた光計測回路であり、入射光強度に比例した電圧が出力される。この回路がもつ機能はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とし、フォトダイオードは入射光に応じた電流を出力するものとする。
1: 電圧電流変換
2: 電圧増幅
3: 電流電圧変換
4: 乗 算
5: 加減算
電気メスについて誤っているのはどれか。
a: 切開には連続波を用いる。
b: 使用出力は数十kWである。
c: 対極板はアクティブ電極である。
d: 対極板の接触面積は成人ではおよそ150cm2である。
e: 300~500Xの負荷抵抗で校正する。
a: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間に反発力が生じる。
b: 2個の棒状磁石を平行に並べてもその間に力は働かない。
c: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界は変化しない。
d: 直線電流と平行に電流と同じ向きに電子が移動すると電子は電流から遠ざかる方向の力を受ける。
e: 発電機では磁界中で導体を動かすことによって起電力を発生させる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
静電気について正しいのはどれか。
a: 液体では表面に帯電する。
b: 湿度が高いと帯電しにくい。
c: 接地は静電気除去の方法として有効である。
d: 帯電量は絶縁抵抗の小さい物体ほど大きい。
e: 異なる材質の不導体を摩擦すると両材質に同一符号の電荷が帯電する。
a: 直線電流の周りには電流が時間的変化をするときだけ磁力線が生じる。
b: 円形コイルに電流を流すとコイル面内ではコイル面と垂直方向に磁界が発生する。
c: 直線電流がつくる磁界の大きさは距離に反比例する。
d: 磁界中で運動する電荷は運動速度に反比例する力を受ける。
e: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に反発力が働く。
電気メスのモノポーラ型メス先電極について正しいのはどれか。
1: 温度検知機能がある。
2: 非通電時でも皮膚切開ができる。
3: メス先よりアーク放電が生じる。
4: バースト波出力を用いることができない。
5: メス先の炭化物は接触インピーダンスを小さくする。
電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。
a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
電気メスで誤っているのはどれか。
1: 数100kHz~数MHzの高周波電流が用いられる。
2: 負荷抵抗は200~1,000Ωである。
3: 凝固にはバースト波が用いられる。
4: 出力200Wのとき対極板接触面積150cm2は安全域である。
5: 出力回路にはコイルが挿入されている。
a: アナログ信号をディジタル計算機に入力するにはD‐A変換器が必要である。
b: CPUはメモリ内のプログラムから読み出された命令に従って演算する。
c: CD‐ROMへの新たな書き込みはできない。
d: ハードディスクは読み出し専用である。
e: 半導体メモリは磁気メモリより低速である。
Showing 121 to 136 of 136 results