第36回国試午後51問の類似問題

電気メスについて正しいのはどれか。

a: スプリット形対極板により電極の接触不良を監視する。

b: 凝固には断続波を用いる。

c: 発振器にはマグネトロンを用いる。

d: 静電結合型対極板の接触抵抗は導電型よりも低い。

e: 対極板面積の安全範囲は出力に依存する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に利用される。

b: CCDは撮像装置に利用される。

c: サイリスタはアナログ増幅素子である。

d: 硫化カドミウム(CdS)セルは超音波素子である。

e: ホトトランジスタは発光素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電気メスについて正しいのはどれか。

1: 高周波電流を使用する。

2: 電流による放射(輻射)熱を利用する。

3: 切開にはバースト波を使用する。

4: 凝固には連続正弦波を使用する。

5: 対極板は能動電極ともいう。

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

オプトエレクトロニクスについて正しいのはどれか。

a: ホトトランジスタを用いて光信号を電気信号に変えることができる。

b: 太陽電池を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

c: 半導体レーザは大出力が出せるのでレーザメスなどに用いられる。

d: 位相のそろった光を発生するには発光ダイオードを用いればよい。

e: 光電子増倍管はアルゴンなどを封入した気体レーザの一種である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電気メスについて正しいのはどれか。

a: 切開には連続正弦波が用いられる。

b: 対極板接触面積の増加は熱傷の原因である。

c: 出力回路には抵抗が挿入されている。

d: スプリット型対極板は接触インピーダンスを測定する。

e: バイポーラ電極は挟まれた部位を凝固する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

a: LEDの発光強度は加えた電圧に比例する。

b: LEDの発光波長は流した電流に比例する。

c: LEDの順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。

d: フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。

e: フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

電気メスについて正しいのはどれか。

a: 凝固出力は連続波である。

b: 点検用負荷抵抗には無誘導抵抗器が使用される。

c: 対極板面積の安全範囲は出力に依存する。

d: 静電結合型対極板の表面は絶縁されている。

e: スプレー凝固では雑音障害は発生しない。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

生体計測に用いられるセンサと物理量の変換関係で誤っているのはどれか。

1: ホール素子：磁　場→電　圧

2: ピエゾ素子：力→電気抵抗

3: サーミスタ：温　度→電気抵抗

4: CdS素子：光→電気抵抗

5: 熱電対：温　度→電　圧

シールドについて正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するに誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。

正しいのはどれか。（電子工学）

a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。

b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。

c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。

e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

トランスデューサと変換する物理量との組合せで正しいのはどれか。 

1: 差動トランス  温度 

2: CdS    磁場 

3: ホール素子  放射線 

4: ストレインゲージ  光 

5: 圧電素子   振動

電気メスについて正しいのはどれか。

a: メス先電極と対極板とを一か所にピンセット状にまとめた方式をピンセット方式という。

b: 切開の最大出力は40W程度である。

c: 凝固の最大出力は20W程度である。

d: メス先電極を能動電極という。

e: 対極板を拡散電極という。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するには誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

磁気について正しいのはどれか。

1: 磁界中の電流が受ける力の方向は磁束密度の方向に一致する。

2: 直線電流の周囲では放射状の磁界が発生する。

3: 磁界中を磁界の方向に走行する電子は力を受けない。

4: 2本の平行導線に逆向きに電流が流れていると両者の間に力は働かない。

5: 磁石は静止した陽子を引きつける。

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード