第27回国試午前51問の類似問題

正しいのはどれか。

a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。

b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。

e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について正しいのはどれか。

a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。

b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。

c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。

d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

e: pn接合は発振作用を示す。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

トランジスタについて正しいのはどれか。

a: インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。

b: FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。

c: バイポーラトランジスタは2端子素子である。

d: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

e: MOSFETのゲートはpn接合で作られる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1: p形とn形の半導体が接合した構造である。

2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。

3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。

4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。

5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。

2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。

3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

5: FETはユニポーラトランジスタともいう。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

ダイオードについて正しいのはどれか。

a: カソードにアノードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

b: 逆方向抵抗は順方向抵抗より小さい。

c: 逆方向電流が急激に大きくなるときの電圧を降伏電圧という。

d: ダイオードには整流作用がある。

e: 理想的なダイオードでは順方向抵抗は無限大である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

1: ある領域を導体で囲めば磁力線は外部にもれない。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 超伝導体はシールド効果をもたない。

4: 誘電率が大きい材料は磁気をシールドするのに適している。

5: 良導体は電磁波をシールドするのに適している。

電子素子について正しいのはどれか。

a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。

b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。

c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。

d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。

e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

脳磁計について誤っているのはどれか。 

1: ホール素子が用いられる。 

2: センサの冷却に液化ヘリウムが用いられる。 

3: SQUIDが用いられる。 

4: 電流ダイポールの位置が推定できる。 

5: 磁気シールド室が必要である。 

電子回路による電気信号の増幅について正しいのはどれか。

1: 増幅度(利得)が大きいほど信号対雑音比(S/N)が大きい。

2: 電圧増幅するためには増幅器の入力インピーダンスは大きい方がよい。

3: 最もよく用いられる半導体の増幅素子はダイオードである。

4: 半導体工学の進歩によりどのように小さな信号を増幅する場合でも雑音を問題にする必要がなくなった。

5: 生体信号を計測するときには増幅器の入力インピーダンスより出力インピーダンスに注意する必要がある。

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

1: ある領域を誘電体で囲めば、磁力線は内部に入り込まない。

2: 真空は磁力線を遮断する。

3: 透磁率が大きい材料は磁気をシールドするのに適している。

4: 超電導体は磁力線を無減衰で通過させる。

5: 抵抗率が大きい材料は電磁波をシールドするのに適している。

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1: 電圧制御型の素子である。

2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。

4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。

5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

a: ある領域を導体で囲めば磁力線は外部にもれない。

b: 超電導体は磁気シールド効果をもたない。

c: 誘電率の大きい材料は電磁シールドをするのに適している。

d: 磁気シールドは透磁率の大きい材料を用いるほど効果がある。

e: 電磁シールドはうず電流による表皮効果を利用している。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電極法による化学分析について正しいのはどれか。

a: 電気化学の原理を利用している。

b: 半導体製造技術を利用したセンサを用いることができる。

c: 繰り返し使用する場合の信頼性が高い。

d: 化学シフトの測定にも用いられる。

e: 控訴を付加した電極も用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

シールドについて正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するに誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

シールドで正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1: 磁力線は抵抗体に囲まれた領域内へは入り込まない。

2: 透磁率が小さい材料ほど磁気シールド効果が大きい。

3: 時間的変化が遅い電界のシールドには導電率の小さい材料が適している。

4: 波長が短い電波のシールドには誘電率の小さい材料が適している。

5: 周波数が低い電波のシールドには導電率の大きい材料が適している。

正しいのはどれか。

1: 磁界中の電流が受ける力の大きさは電流に比例する。

2: 直線電流の付近では放射状の磁界が発生する。

3: 磁界中を磁界の方向と直角に走行する電子は力を受けない。

4: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に力は働かない。

5: 直線電流に平行に置かれた棒磁石は力を受けない。