第5回国試午後14問の類似問題

国試第6回午後:第15問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

a: ある領域を導体で囲めば磁力線は外部にもれない。

b: 超電導体は磁気シールド効果をもたない。

c: 誘電率の大きい材料は電磁シールドをするのに適している。

d: 磁気シールドは透磁率の大きい材料を用いるほど効果がある。

e: 電磁シールドはうず電流による表皮効果を利用している。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第7回午後:第5問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

1: ある領域を誘電体で囲めば、磁力線は内部に入り込まない。

2: 真空は磁力線を遮断する。

3: 透磁率が大きい材料は磁気をシールドするのに適している。

4: 超電導体は磁力線を無減衰で通過させる。

5: 抵抗率が大きい材料は電磁波をシールドするのに適している。

国試第15回午後:第1問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するには誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

国試第9回午後:第7問

シールドについて正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するに誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

国試第2回午後:第12問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

a: 静電シールドをするには、できるだけ抵抗率の大きい導体で対象領域を囲むとよい。

b: 磁気シールドするには、できるだけ透磁率が小さい材料で対象領域を囲むとよい。

c: 十分低い周波数の妨害については、誘電率が非常に小さい材料で対象領域を囲めば、電界も磁界もシールドされる。

d: 十分高い周波数の妨害については、電気的良導体で対象領域を囲めば、電界も磁界もシールドされる。

e: 超電導体はシールド用材料として理想的である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第8回午後:第7問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

1: 磁力線は抵抗体に囲まれた領域内は入り込まない。

2: 磁率が小さい材料ほど磁気シールド効果が大きい。

3: 時間的変化が遅い電界のシールドには導電率の小さい材料が適している。

4: 波長の短い電波にシールドには誘電率が小さい材料が適している。

5: 周波数の低い電波にシールドには導電率の大きい材料が適している。

国試第3回午後:第13問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

1: 超電導体は磁気シールド用材料としては不適当である。

2: 一般に電界よりも磁界のほうがシールドしやすい。

3: 磁気シールドは透磁率の小さい材料を用いるほど効果がある。

4: 低い周波数の電磁界は高い周波数のものよりもシールドしやすい。

5: 電磁シールドはうず電流を利用している。

国試第34回午後:第47問

シールドについて正しいのはどれか。

a: フェライトは磁気シールド材として用いられる。

b: 真空にすると電気力線は遮断される。

c: 磁力線を遮断するには誘電体が適している。

d: 同軸ケーブルは静電シールドの機能をもっている。

e: 電磁波をシールドするには導電率の大きな材料が適している。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第1回午後:第11問

電気および磁気のシールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

a: 接地された良導体で完全に囲んだ領域の内部の電界の変動は、外部にほとんど影響を及ぼさない。

b: 接地された良導体で完全に囲んだ領域の外部の電界のは、内部にほとんど影響を及ぼさない。

c: 磁気シールドをするには、その領域をできるだけ透磁率が小さい材料で囲めばよい。

d: 十分低い周波数の妨害については、その領域を誘電率が非常に大きい材料で囲めば電界も磁界もシールドされる。

e: 十分高い周波数の妨害については、その領域を良導体で囲めば電界も磁界もシールドされる。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第24回午前:第48問

シールドで正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1: 磁力線は抵抗体に囲まれた領域内へは入り込まない。

2: 透磁率が小さい材料ほど磁気シールド効果が大きい。

3: 時間的変化が遅い電界のシールドには導電率の小さい材料が適している。

4: 波長が短い電波のシールドには誘電率の小さい材料が適している。

5: 周波数が低い電波のシールドには導電率の大きい材料が適している。

ME2第34回午前:第27問

シールドについて正しいのはどれか。

1: 静電シールドは接地することでシールドの電位を0にすることができる。

2: 静電シールドには誘電率の高い物質が用いられる。

3: 静電シールドは直流に対しては無効である。

4: 磁気シールドには透磁率の低い物質が用いられる。

5: 磁気シールドは接地することで内部の磁界を0にすることができる。

国試第10回午後:第5問

誤っているのはどれか。

a: 商用交流電場のシールドには銅の金網を用いる。

b: 長波帯の電磁波のシールドには電磁波吸収材を用いる。

c: 静電場のシールドには導電率の低い材料を厚い層にして用いる。

d: 静磁場のシールドには透磁率の高い金属を厚い層にして用いる。

e: 変動磁場のシールドには導電率の高い金属と透磁率の高い金属を交互に組合せて用いる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第31回午前:第47問

一様な電界に置かれた導体について正しいのはどれか。ただし、真空中とする。

a: 導体表面に電荷が現れる。

b: 導体内の電界の大きさは0となる。

c: 導体内の自由電子は電界の方向へ移動する。

d: 導体内では誘電分極が起こる。

e: 電界の方向は導体表面との接線方向となる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第34回午前:第52問

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第10回午後:第1問

全く帯電していない完全導体を一様な電界の中に置いた。正しいのはどれか。

a: 電気力線は導体を置く前と置いた後では異なる。

b: 導体の表面には電磁誘導によって負の電荷が現れる。

c: 導体表面の電位は一様ではない。

d: 導体の内部に静電誘導によって負の電荷が現れる。

e: 導体の電荷の総和は0に保たれる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第35回午前:第47問

帯電している導体球が真空中におかれている。正しいのはどれか。ただし、導体には電流は流れておらず、すべての電荷が静止しているものとする。 

1: 導体表面は等電位面である。 

2: 導体内部には一様な電荷が存在する。 

3: 導体内部には同心円状に電界が存在する。 

4: 導体内部から放射状に電気力線が出入りする。 

5: 導体球に帯電体を近づけると導体内部に電位差が生じる。 

国試第17回午後:第1問

静電界中の導体について誤っているのはどれか。

a: 導体内部に電界が存在する。

b: 導体表面に電荷が存在する。

c: 電気力線は導体表面に垂直である。

d: 導体の表面は等電位面である。

e: 導体にうず電流が流れる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第11回午後:第3問

磁気について正しいのはどれか。

1: 磁界中の電流が受ける力の方向は磁束密度の方向に一致する。

2: 直線電流の周囲では放射状の磁界が発生する。

3: 磁界中を磁界の方向に走行する電子は力を受けない。

4: 2本の平行導線に逆向きに電流が流れていると両者の間に力は働かない。

5: 磁石は静止した陽子を引きつける。

国試第5回午後:第12問

磁界について正しいのはどれか。

1: 磁界中の電流が受ける力の方向は磁束密度の方向に一致する。

2: 直線電流のそばでは放射状の磁界が発生する。

3: 磁界中を磁界の方向に走行する電子は力を受けない。

4: 2本の平行導線に逆向きに電流が流れていると両者の間に力は働かない。

5: 磁石は静止した陽子を引きつける。

国試第27回午後:第46問

導体A、B、Cが図のように配置されている。導体Aに正電荷を付与するとき、正しいのはどれか。ただし、各導体間は絶縁されている。

27PM46-0

a: 導体Cに静電誘導が生じる。

b: 導体C内に電界が生じる。

c: 導体Bの表面に負の電荷が誘起される。

d: 導体Cの電位が変化しても導体Bの電位は変化しない。

e: 導体Cを接地すると導体Bが静電シールドされる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e