第22回国試午後51問の類似問題

国試第17回午後:第19問

図の回路について正しいのはどれか。ただし、ダイオード゙は理想的とし、入力電圧圧Viは周波数50Hz振幅1Vの正弦波とする。

17PM19-0

1: ダイオードにかかる電圧の最大値は約2Vである。

2: ダイオードに流れる電流は正弦波である。

3: コンデンサにかかる電圧の最大値は約1.4Vである。

4: コンデンサにかかる電圧は正弦波である。

5: 抵抗を1kΩに変えるとコンデンサにかかる電圧のリップル(変動量)は減少する。

国試第24回午前:第52問

正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

国試第30回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第33回午後:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第35回午後:第51問

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第34回午後:第51問

ダイオードの電流 I、電圧 E の方向を図 1 のように定めたとき、このダイ オードの特性グラフは図 2 のようになった。このとき、このダイオードの順方向電 圧 V F と逆方向降伏電圧 V R はどれか。

34-PM-51

国試第31回午前:第53問

正しいのはどれか。

a: LEDの発光強度は加えた電圧に比例する。

b: LEDの発光波長は流した電流に比例する。

c: LEDの順方向電圧は整流用ダイオードよりも高い。

d: フォトダイオードの出力電流はアノードから流出する方向に流れる。

e: フォトダイオードの出力電流は入射光が強くなると増加する。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第1回午後:第15問

抵抗とコンデンサの直列回路に急に直流電圧を加えたとき、回路に流れる電流として正しいのはどれか。

1: 最初は多く流れ、徐々に減衰して最後は零となる。

2: 最初は多く流れ、徐々に減衰するが零にはならない。

3: 最初はあまり流れず、徐々に増加して一定になる。

4: 最初はあまり流れず、徐々に増加するが最後は零となる。

5: 最初から最後まで一定電流が流れる。

国試第34回午前:第52問

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第8回午後:第14問

定電圧ダイオードの電圧-電流特性はどれか。

8PM14-0

国試第10回午後:第4問

正しいのはどれか。

a: 導線に電流を流したとき、その周りの磁界には影響を及ぼさない。

b: 平行な2本の導線に逆方向の電流が流れると導線間には反発力が生じる。

c: 発電機では磁界中で導体を動かすことにより起電力を発生させている。

d: 棒磁石を直線電流と平行に置いたとき、棒磁石は力を受けない。

e: 電子が直線電流の近くを同方向に走行していると直線電流に向かう力を受ける。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第8回午後:第21問

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第30回午前:第52問

図1の回路に図2に示す電圧Eを入力したとき、ダイオード D1 に電流が流れる区間はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

30AM52-0

1: A

2: B

3: C

4: D

5: E

国試第33回午後:第53問

ダイオードの順方向における電流電圧特性を図 1 に示す。このダイオード を図 2 のような等価回路(V >= 0.6 V)に置き換えたときの V d と r d との組合せで 正しいのはどれか。

33-PM-53

国試第27回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

ME2第31回午前:第33問

図の回路で電圧Vはおよそ何Vになるか。ただし、ダイオードDは理想ダイオードとする。

img11208-33-0

1: -140

2: -100

3: 0

4: 100

5: 140

国試第4回午後:第14問

正しいのはどれか。

1: 磁界中の電流が受ける力の大きさは電流に比例する。

2: 直線電流の付近では放射状の磁界が発生する。

3: 磁界中を磁界の方向と直角に走行する電子は力を受けない。

4: 2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に力は働かない。

5: 直線電流に平行に置かれた棒磁石は力を受けない。

国試第25回午前:第50問

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

国試第19回午後:第6問

コイルに交流電圧を印加した場合、コイルに流れる電流と電圧の位相について正しいのはどれか。(電気工学)

1: 電流は電圧よりπ/2位相が遅れている。

2: 電流は電圧よりπ/4位相が遅れている。

3: 電流は電圧と同位相である。

4: 電流は電圧よりπ/4位相が進んでいる。

5: 電流は電圧よりπ/2位相が進んでいる。

国試第15回午後:第14問

図の回路について正しいのはどれか。ただし、変圧器は理想的なもので一次対二次の巻数比は1:2である。

15PM14-0

a: 一次側に流れる電流波形は正弦波である。

b: AB間の電圧波形は正弦波である。

c: CB問の電圧波形は半波整流波形である。

d: 電流iの最大値は約2.8Aである。

e: 抵抗100Ωの消費電力は400Wである。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e