第10回国試午後12問の類似問題

国試第36回午後:第51問

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第11回午後:第18問

誤っているのはどれか。

1: 硫化カドミウム(CdS)素子は可視光を検出できる。

2: サイリスタは超音波発生素子である。

3: 電荷結合素子(CCD)は画像入力に用いられる。

4: 差動トランスは変位計測に用いられる。

5: サーミスタは温度センサである。

国試第31回午後:第51問

抵抗変化を利用する素子はどれか。

a: サーミスタ

b: CdS

c: ホール素子

d: 熱電対

e: 圧電素子

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第8回午後:第20問

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第12回午後:第14問

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

ME2第28回午前:第34問

トランスデューサの変換で誤っているのはどれか。

1: CdS:光→電気抵抗

2: サーミスタ:温 度→電気抵抗

3: ストレインゲージ:変 位→電気抵抗

4: ホール素子:磁 場→電 圧

5: 焦電素子:放射線→電 圧

ME2第40回午前:第31問

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。

国試第25回午前:第50問

正しいのはどれか。

1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。

2: p形半導体の多数キャリアは電子である。

3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。

4: トランジスタは能動素子である。

5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

国試第23回午前:第54問

抵抗変化を利用する素子はどれか。

1: ホール素子

2: 熱電対

3: サーミスタ

4: 太陽電池

5: 圧電素子

国試第12回午後:第13問

抵抗変化を利用する素子はどれか。

1: ホール素子

2: 熱電対

3: サーミスタ

4: 太陽電池

5: 圧電素子

国試第17回午後:第12問

正しいのはどれか。

a: 液晶は表示装置に利用される。

b: CCDは撮像装置に利用される。

c: サイリスタはアナログ増幅素子である。

d: 硫化カドミウム(CdS)セルは超音波素子である。

e: ホトトランジスタは発光素子である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第11回午後:第17問

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

国試第15回午前:第52問

正しい組合せはどれか。

a: 光電脈波計 ――― CdS ―――------ 電気抵抗

b: サーモグラフ ―― HgCdTe ―-―---- 電気抵抗

c: シンチグラフ ―― NaI ―――-------- 光

d: 心磁計 ――---- ホール素子 ―----― 静電容量

e: pHメータ ―----- アンチモン電極 ―― 静電容量

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第2回午後:第27問

光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードを用いると光信号を電気信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

国試第34回午前:第52問

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第30回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第4回午後:第27問

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

国試第35回午後:第51問

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第15回午後:第13問

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: ツェナーダイオードは可視光センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第11回午前:第50問

正しい組合せはどれか。

a: 光電脈波計 ―――― CdSe ―――――― 電気抵抗

b: サーモグラフ ―――- HgCdTe ――――- 電気抵抗

c: シンチグラフ ―――--N――――――― 光

d: 心磁計 ―――――― ホール素子 ―――― 静電容量

e: pHメータ ――――-- クラーク電極 ―――― 電流

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e