第40回ME2午前31問の類似問題

ME2第29回午前:第33問

誤っているのはどれか。

1: 金属棒の抵抗は断面積に反比例する。

2: 金属棒の抵抗は金属の抵抗率に比例する。

3: 抵抗率の単位として[Ω・m]が使われる。

4: 導電率は抵抗率の逆数である。

5: 導電率の単位として[S]が使われる。

国試第32回午前:第52問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

ME2第40回午前:第41問

生体計測に用いられるセンサと物理量の変換関係で誤っているのはどれか。

1: ホール素子:磁 場→電 圧

2: ピエゾ素子:力→電気抵抗

3: サーミスタ:温 度→電気抵抗

4: CdS素子:光→電気抵抗

5: 熱電対:温 度→電 圧

国試第17回午後:第1問

静電界中の導体について誤っているのはどれか。

a: 導体内部に電界が存在する。

b: 導体表面に電荷が存在する。

c: 電気力線は導体表面に垂直である。

d: 導体の表面は等電位面である。

e: 導体にうず電流が流れる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第7回午後:第9問

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

国試第13回午後:第12問

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1: p形とn形の半導体が接合した構造である。

2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。

3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。

4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。

5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。

ME2第37回午前:第27問

誤っているのはどれか。

1: 電気力線の密度は電界の強さに比例する。

2: 電気力線は正電荷からはじまって負電荷で終わる。

3: 電位の変化が急激な部分では等電位線の密度が高くなる。

4: 等電位線は交わらない。

5: 電気力線と等電位線は平行である。

国試第6回午後:第20問

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

ME2第28回午前:第34問

トランスデューサの変換で誤っているのはどれか。

1: CdS:光→電気抵抗

2: サーミスタ:温 度→電気抵抗

3: ストレインゲージ:変 位→電気抵抗

4: ホール素子:磁 場→電 圧

5: 焦電素子:放射線→電 圧

国試第5回午後:第20問

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

国試第35回午前:第85問

生体の電気特性について誤っているのはどれか。 

1: 誘電率は周波数の上昇とともに低下する。 

2: 骨格筋は脂肪組織よりも異方性が大きい。 

3: 細胞膜は1μF/cm2程度の静電容量をもつ。 

4: α分散はイオンの集散に起因する。 

5: β分散は約20GHzで生じる。 

ME2第39回午前:第31問

図のように2種類の導体あるいは半導体を組み合わせ、温度差があると起電力が発生する現象はどれか。

img39781-31-0

1: ペルチェ効果

2: ジョセフソン効果

3: ホール効果

4: 圧電効果

5: ゼーベック効果

国試第24回午前:第52問

正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

ME2第32回午前:第44問

生体の電気的な性質として誤っているのはどれか。

1: 導電率は周波数の増加とともに増加する。

2: 誘電率は周波数の増加とともに減少する。

3: 細胞内外液は脂肪組織と比較して導電率が大きい。

4: 細胞膜は細胞内外液と比べて導電率が極めて小さい。

5: γ分散は生体固有の組織構造による分散である。

国試第4回午後:第27問

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

国試第19回午後:第80問

生体組織の受動的な電気特性で誤っているのはどれか。(生体物性材料工学)

1: 細胞内外液中のイオンが関係している。

2: 組織によって異なった値を示す。

3: 分散特性がある。

4: 薄い細胞膜は細胞が大きな静電容量をもつ主因である。

5: 周波数の増加に従い導電率は減少する。

国試第12回午後:第14問

正しいのはどれか。

a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。

b: 液晶は発光素子である。

c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。

d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。

e: ホトダイオードは光通信に用いられている。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第7回午前:第58問

正しいのはどれか。

a: 熱伝導はあらゆる種類の物質に認められる現象である。

b: 銀はダイヤモンドより熱伝導率が大きい。

c: ステンレスは銀より熱伝導率が大きい。

d: 熱対流は真空中でも認められる現象である。

e: 熱放射は電磁波の形で熱が移動する現象である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第4回午後:第13問

断面積S、長さlの導体の長さ方向に一定電圧が加えられているとき正しいのはどれか。

a: 導体の抵抗はSとlの積に比例する。

b: 導体の抵抗はlに比例してSに反比例する。

c: 1が2倍になると流れる電流は0.5倍になる。

d: Sが2倍になると流れる電流は4倍になる。

e: Sが小さくなると電流によって発生する熱は増加する。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第5回午後:第14問

シールド(遮蔽)について正しいのはどれか。

1: ある領域を導体で囲めば磁力線は外部にもれない。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 超伝導体はシールド効果をもたない。

4: 誘電率が大きい材料は磁気をシールドするのに適している。

5: 良導体は電磁波をシールドするのに適している。