第25回国試午前50問の類似問題

正しいのはどれか。

1: ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。

2: 電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

3: トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。

4: n型半導体の多数キャリアは電子である。

5: p型半導体の多数キャリアは陽子である。

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

ダイオードについて正しいのはどれか。

a: カソードにアノードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

b: 逆方向抵抗は順方向抵抗より小さい。

c: 逆方向電流が急激に大きくなるときの電圧を降伏電圧という。

d: ダイオードには整流作用がある。

e: 理想的なダイオードでは順方向抵抗は無限大である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図のpn 接合で正しいのはどれか。

a: 多数キャリアA は正孔である。

b: 多数キャリアB は正極の方向に移動する。

c: 電圧E を高くすると電流は増加する。

d: 電圧E を高くすると空乏層が大きくなる。

e: 電圧E を高くすると降伏現象が生じる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

断面積S、長さlの導体の長さ方向に一定電圧が加えられているとき正しいのはどれか。

a: 導体の抵抗はSとlの積に比例する。

b: 導体の抵抗はlに比例してSに反比例する。

c: 1が2倍になると流れる電流は0.5倍になる。

d: Sが2倍になると流れる電流は4倍になる。

e: Sが小さくなると電流によって発生する熱は増加する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

抵抗R、インダクタLの直列回路において正しいのはどれか。（電気工学）

1: 周波数が高くなるほど回路電流は増加する。

2: 共振周波数が存在する。

3: Rの電流とLの電流の比は周波数に比例する。

4: 回路電流は電源電圧より位相がπ/2進んでいる。

5: Lの端子電圧はRの端子電圧より位相がπ/2進んでいる。

正しいのはどれか。

a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。

b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。

e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

誤っているのはどれか。

1: 金属棒の抵抗は長さに比例する。

2: 金属棒の抵抗は断面積に反比例する。

3: 金属棒の抵抗は温度が上昇すると小さくなる。

4: 導電率は抵抗率の逆数である。

5: 金、銀、銅のうち、最も低効率が小さいのは銀である。

正しいのはどれか。

a: CMOS回路は消費電力が少ない。

b: LEDはpn接合の構造をもつ。

c: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

d: 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

e: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

一様な電界に置かれた導体について正しいのはどれか。ただし、真空中とする。

a: 導体表面に電荷が現れる。

b: 導体内の電界の大きさは0となる。

c: 導体内の自由電子は電界の方向へ移動する。

d: 導体内では誘電分極が起こる。

e: 電界の方向は導体表面との接線方向となる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。

b: CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。

c: LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。

d: エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。

e: 光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

正しい組合せはどれか。

a: 光電脈波計 ――― CdS ―――------ 電気抵抗

b: サーモグラフ ―― HgCdTe ―-―---- 電気抵抗

c: シンチグラフ ―― NaI ―――-------- 光

d: 心磁計 ――---- ホール素子 ―----― 静電容量

e: pHメータ ―----- アンチモン電極 ―― 静電容量

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。

b: FETはユニポーラトランジスタである。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETは高入カインピーダンス素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路について、正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

a: 遮断周波数より十分に低い帯域で微分特性を有する。

b: コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。

c: 遮断周波数は314Hzである。

d: 直流成分は通過する。

e: 入力インピーダンスは抵抗R1とR2で決まる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すフィルタを備えている。

d: インピーダンス法は生体に電流を通じて生体情報を求める方法である。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化によって測定する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e