正しいのはどれか。
1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。
2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。
3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。
4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。
5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。
a: 電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。
b: 液晶は発光素子である。
c: 硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。
d: 光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。
e: ホトダイオードは光通信に用いられている。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
1: 太陽電池は発光素子の一種である。
2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。
3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。
4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。
5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。
光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。
2: ホトダイオードを用いると光信号を電気信号に変えることができる。
1: 光ファイバは発光する線維の一種である。
2: 半導体レーザは発光素子の一種である。
3: CCDは光の波長を区別して三原色を検出する。
4: 発光ダイオードはレーザメスに用いられる。
5: 太陽電池は主に熱を電気に変換する。
電子素子について正しいのはどれか。
a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。
b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。
c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。
d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。
e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
半導体について誤っているのはどれか。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流
3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。
4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
c: ツェナーダイオードは可視光センサである。
a: 液晶は表示装置に利用される。
b: CCDは撮像装置に利用される。
c: サイリスタはアナログ増幅素子である。
d: 硫化カドミウム(CdS)セルは超音波素子である。
e: ホトトランジスタは発光素子である。
誤っているのはどれか。
1: 硫化カドミウム(CdS)素子は可視光を検出できる。
2: サイリスタは超音波発生素子である。
3: 電荷結合素子(CCD)は画像入力に用いられる。
4: 差動トランスは変位計測に用いられる。
5: サーミスタは温度センサである。
a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。
c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。
d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。
a: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
b: ユニポーラトランジスタは電流制御素子である。
c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d: 接合型 FET の n 形チャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS 回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
a: n型半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
b: ダイオードの端子電圧と電流の関係は直線的な比例特性を示す。
c: バイポーラトランジスタの三つの端子はソース、ベース、コレクタである。
d: バイポーラトランジスタでは電流が正孔と電子によって運ばれている。
e: 金属酸化物電界効果トランジスタではゲートには電流はほとんど流れない。
オプトエレクトロニクスについて正しいのはどれか。
a: ホトトランジスタを用いて光信号を電気信号に変えることができる。
b: 太陽電池を用いて光信号を電気信号に変えることができる。
c: 半導体レーザは大出力が出せるのでレーザメスなどに用いられる。
d: 位相のそろった光を発生するには発光ダイオードを用いればよい。
e: 光電子増倍管はアルゴンなどを封入した気体レーザの一種である。
a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。
e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
半導体について正しいのはどれか。
a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e: pn接合は発振作用を示す。
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