第25回国試午前50問の類似問題

トランジスタについて正しいのはどれか。

a: インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。

b: FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。

c: バイポーラトランジスタは2端子素子である。

d: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

e: MOSFETのゲートはpn接合で作られる。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しい組合せはどれか。

a: 光電脈波計 ―――― CdSe ―――――― 電気抵抗

b: サーモグラフ ―――- HgCdTe ――――- 電気抵抗

c: シンチグラフ ―――--N――――――― 光

d: 心磁計 ―――――― ホール素子 ―――― 静電容量

e: pHメータ ――――-- クラーク電極 ―――― 電流

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETのn形チャネルのキャリアは電子である。

2: FETは入力インピーダンスが高い。

3: エミッタはFETの端子の1つである。

4: コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。

5: バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

正しいのはどれか。

a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。

b: FETを用いて論理回路は構成できない。

c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。

d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。

e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路において、t＝0でスイッチを入れた。正しいのはどれか。

1: 時定数はLRである。

2: 直後に抵抗にかかる電圧はEとなる。

3: 直後に流れる電流はE/Rとなる。

4: 時開か十分に経過すると抵抗にかかる電圧はE/2となる。

5: 時間が十分に経過すると抵抗で消費される電力はE2/Rとなる。