第24回国試午前34問の類似問題

国試第7回午前:第77問

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すものの4種のフィルタを備えている。

d: 生体に電流を通じそのインピーダンス変化から生体情報を求める方法をインピーダンス法という。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化でとらえられる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第6回午前:第78問

生体電気現象の計測について正しいのはどれか。

a: 低周波領域では電極接触インピーダンスは周波数に比例する。

b: 金属と電解液の接触面では静止電位が発生する。

c: 電極に電流が流れると静止電位の他に電極と生体間に分極電圧が発生する。

d: 生体と電極との接触インピーダンスはできるだけ小さい方がよい。

e: 増幅器の入力インピーダンスはできるだけ小さい方がよい。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第13回午前:第54問

脳波計測について正しいのはどれか。

1: 脳波計の入力インピーダンスは約1kΩである。

2: シールドルームの目的は地磁気の遮断である。

3: 針電極は皿電極より電極インピーダンスが高い。

4: 電極のインピーダンスが高いと雑音を誘導しやすい。

5: 電極の頭皮上の配置を誤ると感電事故につながる。

国試第14回午前:第54問

脳波計について正しいのはどれか。

a: 増幅器のCMRR(同相除去比)は60dB以上である。

b: CR結合の標準時定数は0.01秒である。

c: 記録紙上では標準感度は50mV/mmである。

d: 入カインビーダンスは5MΩ以上である。

e: 電極接触インピーダンスは50kΩ以下が望ましい。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第19回午前:第77問

電撃について正しいのはどれか。(医用機器安全管理学)

a: 人体の反応は電流の流出入部位によって異なる。

b: His束心電図検査は、心室細動が発生しないように注意して行われる。

c: 皮膚に0.1mAの商用交流電流が流れるとビリビリと感じる。

d: 体表から受ける電撃によって起こる事故死の多くは心筋症によるものである。

e: ミクロショックの場合数μAの商用交流電流でも危険である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

ME2第36回午後:第50問

電流刺激に対する人体の反応について正しいのはどれか。

1: 体表面に電流が流れることによる電撃をミクロショックという。

2: 心臓に直接0.1μAの商用交流電流が流れると心室細動が起こる。

3: 流れる電流の電流密度が小さくなると熱傷の危険が生じる。

4: 周波数500kHzにおける最小感知電流は約2μAである。

5: 直流電流では電解質の電気分解により組織が損傷する危険がある。

ME2第40回午後:第43問

心電計の紙送り速さの確認で適切でないのはどれか。

1: 商用交流雑音(ハム)を入力した。

2: 1周期400msの矩形波を入力した。

3: 120ppmに設定した体外式ペースメーカの信号を入力した。

4: 点検者自身の心電図を入力した。

5: 低周波発振器から10Hzの正弦波を入力した。

国試第32回午後:第30問

超音波診断装置について正しいのはどれか。

a: 狭窄部位の高血流速度の測定にはパルス波を用いる。

b: 心臓弁運動の定量にはMモードを用いる。

c: 組織性状の画像化には高調波が有用である。

d: 腹部の画像描出にはセクタ走査が適している。

e: Bモード画像描出には連続波を用いる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第4回午前:第75問

電気の生体に与える影響について正しいのはどれか。

a: 最少感知電流は離脱限界電流より小さい。

b: 生体に離脱限界以上の電流が流れると行動の自由を失う。

c: ミクロショック心室細動電流はマクロショック心室細動電流の1/100である。

d: 電流が流れても行動の自由は失われない。

e: 高周波電流は生体に熱作用をもたらす。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

ME2第31回午後:第53問

ある治療機器の装着部に図のような図記号が表示してあった。正しいのはどれか。

img11209-53-0

1: 電源トランスの二次側に3000V以上の電圧が発生している。

2: 1000Vの静電気放電に耐性がある。

3: ピーク電圧で1500V以上の出力電圧が出る。

4: 雷撃に対して防護されている。

5: 目に障害を発生させるレベルのレーザ光を出力する。

国試第9回午後:第4問

1μFの平行平板コンデンサについて正しいのはどれか。

1: 極板面積を2倍にすると容量が4μFになる。

2: 極板間距離を2倍にすると容量が2μFになる。

3: 100V、50Hzの交流電源に接続すると約3.1mAの電流が流れる。

4: 正弦波交流電圧をかけると、流れる電流の位相は電圧に対して90°進む。

5: 正弦波交流電圧をかけて、周波数を2倍にすると流れる電流は4倍になる。

ME2第38回午後:第15問

電気メスの対極板について誤っているのはどれか。

1: 小児用電極板を使う場合は電気メスの出力を成人用より低めに設定する。

2: 容量結合形は導電接触形に比べ接触面積の低下による熱傷の危険性が少ない。

3: 容量結合形は同じ面積の導電接触形より接触抵抗が小さい。

4: 対極板接触不良モニタにはスプリット形(ダブル形)を使う。

5: 対極板断線モニタ用の対極板コードは2本が対になっている。

国試第23回午前:第41問

病院電気設備について適切でないのはどれか。

1: 医用接地極の接地抵抗は10Ω以下である。

2: 等電位接地設備における金属間電圧は100mV以下である。

3: 非接地配線方式は一線地絡時にも電源供給を確保する。

4: 非常電源コンセントの外郭の色は赤色である。

5: 瞬時特別非常電源の立ち上がり時間は0.5秒以下である。

国試第6回午後:第73問

電撃に対する人体の反応に対して誤っているのはどれか。

1: 電流の流出入部によって異なる。

2: 最小感知電流の10倍の電流で行動の自由を失う。

3: 50kHz付近で最も感じやすい。

4: 1mAの商用交流が体表に流れるとビリビリ感じる。

5: 感じられない電流により心室細動が誘発される。

国試第19回午前:第83問

病院の電気設備について正しいのはどれか。(医用機器安全管理学)

1: 等電位接地での患者環境は患者が占める場所から水平方向5m、床上高さ3mである。

2: 非接地配線方式下で使用するME機器はアースをとる必要がない。

3: 非接地配線方式では機器故障時に漏れ電流が高くなるという欠点がある。

4: 医用接地方式では接地抵抗100Ω以下の医用接地極を設ける。

5: 等電位接地を施した導電性部分と医用接地センタ間の電気抵抗は0.1Ω以下である。

国試第2回午後:第57問

適切でない組合せはどれか。

1: 電気メス・・・・・・・・・・・・・対極板

2: 超音波吸引器・・・・・・・ベータトロン

3: 心臓ペースメーカ・・・・・ICHDコード

4: レーザ内視鏡・・・・・・・・石英ガラスファイバ

5: ハイパーサーミア・・・・・RF(ラジオ周波数)波

国試第25回午後:第37問

超音波切開凝固装置で誤っているのはどれか。

1: アクティブブレードは45~55kHzの周波数で振動する。

2: 70~100°Cで組織中のタンパク質を凝固させる。

3: 凝固しながら切開ができる。

4: 電気メスに比べて凝固操作が短時間で可能である。

5: 内視鏡下手術に用いられる。

国試第28回午前:第51問

図の正弦波交流電圧波形について正しいのはどれか。

28AM51-0

a: 周波数は 50 Hz である。

b: 角周波数は 50π rad/s である。

c: 周期は 10 ms である。

d: 電圧の平均値は 110 V である。

e: 電圧の実効値は 100 V である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第11回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すフィルタを備えている。

d: インピーダンス法は生体に電流を通じて生体情報を求める方法である。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化によって測定する。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第24回午前:第52問

正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。