演算増幅器を用いて低域フィルタを作りたい。図のAB間に挿入すべき素子はどれか。
1: ダイオード
2: インダクタ
3: スイッチ
4: 抵抗
5: 基準電圧源
図の回路の抵抗R[kΩ]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: 2
2: 4
3: 6
4: 8
5: 10
図の回路において全波整流回路として動作するのはどれか。
図に示す電流経路について正しいのはどれか。
a: 1は装着部に乗った電源電圧による患者漏れ電流である。
b: 2は外装漏れ電流である。
c: 3は信号入出力部にのった電源電圧による患者漏れ電流である。
d: 4は患者測定電流である。
e: 5は接地漏れ電流である。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
図の回路で電流計の指示値は何mAか。ただし、演算増幅器と電流計は理想的に働くこととする。
1: 1
2: 2
3: 3
4: 6
5: 12
図の回路について正しいのはどれか。
a: 低域通過特性を示す。
b: 微分回路に用いられることがある。
c: 時定数は10msである。
d: 出力波形の位相は入力波形より進む。
e: 遮断周波数は約50Hzである。
図の回路の入力インピーダンスはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。（電子工学）
1: R
2: $\frac{1}{R}$
3: $ R+\ j\omega{C}$
4: $ R+\frac {1}{j\omega C}$
5: $\frac {1}{R}+j\omega C$
b: 微分回路に用いられる。
差動増幅器について誤っているのはどれか。
1: 周囲の温度変化に対して比較的安定している。
2: 2個以上のトランジスタやFETを用いて構成されている。
3: 電源電圧の変動に対しては比較的強い。
4: 二つの入力端子があり、一つの端子にのみ信号を加えてもよい。
5: CMRR(同相弁別比)は小さい方がよい。
正しいのはどれか。
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
図1の回路において図2に示す電圧V1とV2を入力した場合、出力電圧V0の波形で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
図の回路で入出力の電圧値の関係を満たすR1とR2の比（R1：R2）はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。
1: 2:1
2: 1:2
3: 1:3
4: 1:4
5: 1:5
全波整流回路として正しく動作するのはどれか。
演算増幅器について誤っているのはどれか。
1: 入力インピーダンスは極めて小さい。
2: 出力インピーダンスは極めて小さい。
3: 差動増幅が可能である。
4: 利得は極めて高い。
5: 反転入力と非反転入力を持つ。
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