正しいのはどれか。（医用電気電子工学）
1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。
電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。
1: 電圧制御型の素子である。
2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。
4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。
5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。
図の回路について正しいのはどれか。ただし、トランジスタは理想トランジスタとする。
1: コレクタ電流が増加するとコレクタ電圧も増加する。
2: ベース電流が流れないときコレクタ電圧はゼロである。
3: Viが負のときベース電流が流れる。
4: ベース電流によってコレクタ電流を制御できる。
5: ベース電流はエミッタ電流より大きい。
正しいのはどれか。
a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b: FETを用いて論理回路は構成できない。
c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e
1: 半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2: p形半導体の多数キャリアは電子である。
3: シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4: トランジスタは能動素子である。
5: 理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。
電子部品について正しいのはどれか。
a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。
b: CdSは光を受けると起電力が発生する。
c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。
d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。
e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。
図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。
a: エミッタフォロワと呼ばれる。
b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c: インピーダンス変換回路として用いられる。
d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e: 信号の電力増幅を行うことはできない。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
生体電気信号増幅器の入力インピーダンスについて正しいのはどれか。
a: 入力信号の周波数に依存する。
b: 電極接触インピーダンスより充分大きくする。
c: 入力電圧と入力電流の波形から位相特性がわかる。
d: 単位にはデシベルを用いる。
e: 入力部に電界効果トランジスタを使うと小さくなる。
トランスデューサと基本原理の組合せについて誤っているのはどれか。
1: ISFET -- ペルチェ効果
2: SQUID -- ジョセフソン効果
3: フォトダイオード -- 光起電力効果
4: 熱電対 -- ゼーベック効果
5: PZT -- 圧電効果
a: 大きさは入力信号の周波数に依存する。
b: 電極接触インピーダンスよりも十分大きくする。
誤っているのはどれか。
1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。
2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。
3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。
4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。
5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。
半導体について正しいのはどれか。
a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e: pn接合は発振作用を示す。
図の構造を持つ電子デバイスはどれか。
1: バイポーラトランジスタ
2: MOS-FET
3: 接合形FET
4: サイリスタ
5: フォトダイオード
図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。（電子工学）
a: 入力インピーダンスは大きい。
b: 入力と出力は逆位相である。
c: 反転増幅回路である。
d: 入力は正電圧でなければならない。
e: 入力電圧の1倍が出力される。
半導体の性質として正しいのはどれか。
1: n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。
2: p型半導体の多数キャリアは自由電子である。
3: 真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。
4: 真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。
5: 共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。
半導体について誤っているのはどれか。
1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。
2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。
3: アクセプタとは3価の不純物を指す。
4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。
5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。
1: 主に4価の元素が材料として使われる。
2: 抵抗率は導体より大きい。
3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。
4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。
5: キャリアとして電子と正孔がある。
1: 金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2: p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3: 温度が上昇すると導電率は減少する。
4: ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5: 電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。
エミッタフォロアについて正しいのはどれか。
a: インピーダンス変換のために用いられる。
b: エミッタが接地されている。
c: 入力と出力との位相関係は逆相である。
d: 電流増幅度は1以上とならない。
e: 電圧増幅度は1以上とならない。
図に示す回路について正しいのはどれか。
a: エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。
b: 直流増幅回路である。
c: FET増幅回路である。
d: 電源電圧VDDとして負電圧を加える。
e: R2は増幅素子保護のための抵抗である。
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