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第23回国試午前53問の類似問題

国試第16回午後：第13問

図はトランジスタの出力特性（VCE―IC曲線）とこのトランジスタを使った増幅器の負荷線を示している。ベース電流IBが0.1mAから0.2mAに変化したとき、ベース電流IBの変化量に対するコレクタ電流ICの変化量の比率に最も近いのはどれか。

16PM13-0
1:50
2:150
3:250
4:350
5:450

国試第7回午後：第11問

図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。

7PM11-0
a:エミッタフォロワと呼ばれる。
b:出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c:インピーダンス変換回路として用いられる。
d:入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e:信号の電力増幅を行うことはできない。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第7回午後：第10問

正しいのはどれか。

1:npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2:コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3:ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4:MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5:MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

国試第13回午後：第21問

図の回路に入力(vi)を加えたとき、出力(vo)に最も近い波形はどれか。ただし、トランジスタの直流電流増幅定数(hfe)は100とする。

13PM21-0

国試第6回午後：第20問

正しいのはどれか。

1:ベース接地は高入力インピーダンスが必要な場合に使われる。
2:電界効果トランジスタ(FET)は低入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。
3:トランジスタのコレクタ電流はベース電流とほぼ等しい。
4:n型半導体の多数キャリアは電子である。
5:p型半導体の多数キャリアは陽子である。

国試第8回午後：第15問

図に示す回路について正しいのはどれか。

8PM15-0
a:エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。
b:直流増幅回路である。
c:FET増幅回路である。
d:電源電圧VDDとして負電圧を加える。
e:R2は増幅素子保護のための抵抗である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第22回午後：第52問

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1:FETのn形チャネルのキャリアは電子である。
2:FETは入力インピーダンスが高い。
3:エミッタはFETの端子の1つである。
4:コレクタ接地増幅回路はインピーダンス変換回路に用いる。
5:バイポーラトランジスタは入力電流で出力電流を制御する。

国試第17回午後：第13問

トランジスタの特性を示す用語でないのはどれか。

a:電流増幅率
b:相互コンダクタンス
c:最大許容電流
d:ホール係数
e:相互インダクタンス
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第15回午後：第12問

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a:n形とp形の半導体によって構成される。
b:電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。
c:エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。
d:正負2種類の電荷が動作に寄与している。
e:アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第19回午後：第16問

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。（電子工学）

19PM16-0
a:入力インピーダンスは大きい。
b:入力と出力は逆位相である。
c:反転増幅回路である。
d:入力は正電圧でなければならない。
e:入力電圧の1倍が出力される。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第18回午後：第12問

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1:インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。
2:FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。
3:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
4:MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
5:FETはユニポーラトランジスタともいう。

国試第35回午後：第51問

正しいのはどれか。 

a:理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 
b:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 
d:FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 
e:CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第30回午前：第51問

正しいのはどれか。

a:理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。
b:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。
d:FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。
e:CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第10回午後：第11問

巻数比が1次：2次＝10：1の変圧器（トランス）について正しいのはどれか。

a:入力交流電圧が10Vのとき、出力電圧は約1Vになる。
b:出力交流電流が10Aのとき、入力電流は約1Aになる。
c:出力側に1Ωの負荷をつないだとき、入力側からは約10Ωの負荷と見なせる。
d:出力側より1Wの電力を取り出すためには、入力側へ約10Wの電力を供給する。
e:入力に直流電圧を加えるとトランスは破損する恐れがある。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第13回午後：第10問

図の回路について正しいのはどれか。

13PM10-0
a:電圧vの周波数が共振周波数に等しいとき、電圧vと電流iの位相は等しい。
b:電圧vの周波数が共振周波数より極めて低いと電流iは0に近い。
c:共振周波数におけるインピーダンスはRなる。
d:インピーダンスは共振周波数において最も大きくなる。
e:電圧vの周波数が共振周波数より極めて高いとコンデンサにかかる電圧は高い。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第6回午後：第23問

正しいのはどれか。

a:バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b:FETを用いて論理回路は構成できない。
c:演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d:論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e:C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第11回午後：第12問

トランジスタについて正しいのはどれか。

a:インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b:FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c:バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e:MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第30回午前：第54問

図の回路において正しいのはどれか。ただし、A は理想演算増幅器とする。

30AM54-0
a:反転増幅回路である。
b:入力抵抗は Rs である。
c:二つの抵抗に流れる電流は等しい。
d:Vs は Vi に等しい。
e:Rs を無限大にすると |Vi| = |Vs| になる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第5回午後：第20問

誤っているのはどれか。

1:FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2:バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。
3:ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4:トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5:FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

国試第27回午後：第55問

図の回路について、正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

27PM55-0
a:時定数は20 msである。
b:通過域での増幅度は20 である。
c:直流成分はカットされる。
d:コンデンサC1と抵抗R2に流れる電流は等しい。
e:入力インピーダンスは抵抗R1とR2で決まる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e