第34回国試午前52問の類似問題

正しいのはどれか。（電子工学）

a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。

b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。

c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。

e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

正しいのはどれか。

a: pチャネルFETの伝導電荷は電子である。

b: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

c: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

d: バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。

e: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

トランジスタについて誤っているのはどれか。（電子工学）

1: インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。

2: FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。

3: FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。

4: MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

5: FETはユニポーラトランジスタともいう。

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

ダイオードについて正しいのはどれか。

a: カソードにアノードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

b: 逆方向抵抗は順方向抵抗より小さい。

c: 逆方向電流が急激に大きくなるときの電圧を降伏電圧という。

d: ダイオードには整流作用がある。

e: 理想的なダイオードでは順方向抵抗は無限大である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子素子について正しいのはどれか。

a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。

b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。

c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。

d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。

e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

正しいのはどれか。

a: バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。

b: FETを用いて論理回路は構成できない。

c: 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。

d: 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。

e: C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

1: ある領域を誘電体で囲めば、磁力線は内部に入り込まない。

2: 真空は磁力線を遮断する。

3: 透磁率が大きい材料は磁気をシールドするのに適している。

4: 超電導体は磁力線を無減衰で通過させる。

5: 抵抗率が大きい材料は電磁波をシールドするのに適している。

シールドについて正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するに誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

a: ある領域を導体で囲めば磁力線は外部にもれない。

b: 超電導体は磁気シールド効果をもたない。

c: 誘電率の大きい材料は電磁シールドをするのに適している。

d: 磁気シールドは透磁率の大きい材料を用いるほど効果がある。

e: 電磁シールドはうず電流による表皮効果を利用している。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電極法による化学分析について正しいのはどれか。

a: 電気化学の原理を利用している。

b: 半導体製造技術を利用したセンサを用いることができる。

c: 繰り返し使用する場合の信頼性が高い。

d: 化学シフトの測定にも用いられる。

e: 控訴を付加した電極も用いられる。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

電子回路による電気信号の増幅について正しいのはどれか。

1: 増幅度(利得)が大きいほど信号対雑音比(S/N)が大きい。

2: 電圧増幅するためには増幅器の入力インピーダンスは大きい方がよい。

3: 最もよく用いられる半導体の増幅素子はダイオードである。

4: 半導体工学の進歩によりどのように小さな信号を増幅する場合でも雑音を問題にする必要がなくなった。

5: 生体信号を計測するときには増幅器の入力インピーダンスより出力インピーダンスに注意する必要がある。

シールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

1: 磁力線を遮断するには誘電体が適している。

2: 真空は電気力線を遮断する。

3: 静電界をシールドするには誘電率の小さい材料が適している。

4: 電波をシールドするには導電率の大きい材料が適している。

5: 透磁率の小さい材料は磁気シールドに適している。

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1: 電圧制御型の素子である。

2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。

4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。

5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1: n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 

2: p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 

3: 真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 

4: 真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 

5: 共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。