第29回ME2午前40問の類似問題

国試第31回午前:第52問

図のPN接合で正しいのはどれか。

31AM52-0

a: 多数キャリアAには右方向に力が作用する。

b: 多数キャリアBは電子である。

c: 電圧Eを高くしていくと降伏現象が生じる。

d: 電圧Eを高くすると空乏層が小さくなる。

e: 電圧Eを高くすると拡散電位が高くなる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第2回午前:第81問

生体電気現象の検出に用いる体表面電極について誤っているのはどれか。

1: 金属電極が用いられる。

2: ペーストを介して使用することが多い。

3: 電極とペーストの接触面に静止電位が生じる。

4: 電極に電流が流れると分極電圧が生じる。

5: 銀塩化銀電極は分極電極と呼ばれる。

国試第24回午前:第52問

正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1: 理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。

2: ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。

3: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

4: FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。

5: バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

国試第5回午後:第20問

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

国試第31回午前:第47問

一様な電界に置かれた導体について正しいのはどれか。ただし、真空中とする。

a: 導体表面に電荷が現れる。

b: 導体内の電界の大きさは0となる。

c: 導体内の自由電子は電界の方向へ移動する。

d: 導体内では誘電分極が起こる。

e: 電界の方向は導体表面との接線方向となる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第7回午後:第9問

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは可変抵抗素子としても使われる。

国試第30回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

d: FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第15回午後:第12問

バイポーラトランジスタについて正しいのはどれか。

a: n形とp形の半導体によって構成される。

b: 電界効果トランジスタより入力インピーダンスが高い。

c: エミッタ接地電流増幅率は1より小さい。

d: 正負2種類の電荷が動作に寄与している。

e: アナログ増幅にもスイッチングにも用いられる。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第17回午後:第1問

静電界中の導体について誤っているのはどれか。

a: 導体内部に電界が存在する。

b: 導体表面に電荷が存在する。

c: 電気力線は導体表面に垂直である。

d: 導体の表面は等電位面である。

e: 導体にうず電流が流れる。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第10回午後:第12問

電子素子について正しいのはどれか。

a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。

b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。

c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。

d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。

e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。

1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第35回午後:第51問

正しいのはどれか。 

a: 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 

b: バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 

c: ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 

d: FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 

e: CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

ME2第30回午後:第18問

心電図電極について誤っているのはどれか。

1: 分極は電極と電解液の界面に起こる電気化学反応である。

2: 電極でイオン電流を電子の流れに変換する。

3: 銀-塩化銀電極は分極電圧が小さい。

4: 電極インピーダンスは電極面積が大きいと高くなる。

5: 新しい電極は分極電圧の初期ドリフトを生じる。

ME2第30回午前:第29問

誤っているのはどれか。

1: 金属棒の抵抗は長さに比例する。

2: 金属棒の抵抗は断面積に反比例する。

3: 金属棒の抵抗は温度が上昇すると小さくなる。

4: 導電率は抵抗率の逆数である。

5: 金、銀、銅のうち、最も低効率が小さいのは銀である。

ME2第37回午前:第31問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

1: 電圧制御型の素子である。

2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。

4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。

5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

国試第2回午後:第67問

電気メスについて誤っているのはどれか。

a: 生体側に電流によるジュール熱を発生させる。

b: 切開にはバースト波が用いられる。

c: 凝固には連続正弦波が用いられる。

d: 十分な大きさの対極板を身体に密着させ、対極板コードに断線のないことを確認する。

e: 対極板回路の高周波抵抗が増大すると熱傷事故の危険がある。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第4回午後:第13問

断面積S、長さlの導体の長さ方向に一定電圧が加えられているとき正しいのはどれか。

a: 導体の抵抗はSとlの積に比例する。

b: 導体の抵抗はlに比例してSに反比例する。

c: 1が2倍になると流れる電流は0.5倍になる。

d: Sが2倍になると流れる電流は4倍になる。

e: Sが小さくなると電流によって発生する熱は増加する。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第36回午後:第51問

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第12回午後:第3問

十分に広い面積の2枚の金属電極が平行に向かい合っている。この金属電極間に一定の電圧を加えたまま電極間を比誘電率1000の誘電体で溝たすと、電極間が真空の場合に比べて蓄えられるエネルギーは何倍になるか。

1: 500

2: 1000

3: 2000

4: 5000

5: 1000000

国試第12回午後:第2問

図のように接地された導体殻Aの中空部分に球形導体Bが置かれている。正しいのはどれか。

1: Aの外側表面に正の電荷が存在する。

2: 帯電した別の導体をAの外側に近づけるとBに電荷が生じる。

3: Aの外側の電界が変化するとAの電位も変化する。

4: Aの内側表面から出る電気力線があれば外側表面からも電気力線が外へ向かって発生する。

5: Bに正電荷が与えられるとAの内側表面に負電荷が生じる。

国試第8回午後:第20問

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e