第29回国試午後25問の類似問題

生体計測に利用されるトランスデューサで､物理量が起電力に変換されるのはどれか。（生体計測装置学）

a: ストレインゲージ

b: CdS

c: 太陽電池

d: 熱電対

e: ホール素子

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

測定対象となる物理量が起電力に変換されるトランスデューサはどれか。

1: CdSe

2: サーミスタ

3: フォトトランジスタ

4: ストレインゲージ

5: 熱電対

トランスデューサと変換する物理量との組合せで正しいのはどれか。 

1: 差動トランス  温度 

2: CdS    磁場 

3: ホール素子  放射線 

4: ストレインゲージ  光 

5: 圧電素子   振動

出力が起電力でないセンサはどれか。

1: ストレインゲージ

2: 圧電素子

3: ホール素子

4: 熱電対

5: 光電池(ソーラセル)

抵抗変化を利用する素子はどれか。

1: ホール素子

2: 熱電対

3: サーミスタ

4: 太陽電池

5: 圧電素子

抵抗変化を利用する素子はどれか。

1: ホール素子

2: 熱電対

3: サーミスタ

4: 太陽電池

5: 圧電素子

起電力を生じる素子はどれか。

a: ホトダイオード

b: CdS素子

c: ストレインゲージ

d: サーミスタ

e: 熱電対

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

光起電力効果を用いて測定するトランスデューサはどれか。（生体計測装置学）

a: 光電池

b: ホトダイオード

c: CdSセル

d: HgCdTe

e: サーモパイル

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

トランスデューサの変換で誤っているのはどれか。

1: CdS：光→電気抵抗

2: サーミスタ：温　度→電気抵抗

3: ストレインゲージ：変　位→電気抵抗

4: ホール素子：磁　場→電　圧

5: 焦電素子：放射線→電　圧

生体計測に用いられているトランスデューサの変換で誤っているのはどれか。

1: Cds：光→電気抵抗

2: ホール素子：放射線→電　圧

3: ストレインゲージ：変　位→電気抵抗

4: サーミスタ：温　度→電気抵抗

5: フォトダイオード：光→電　流

抵抗変化を利用する素子はどれか。

a: サーミスタ

b: CdS

c: ホール素子

d: 熱電対

e: 圧電素子

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すフィルタを備えている。

d: インピーダンス法は生体に電流を通じて生体情報を求める方法である。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化によって測定する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

交流電圧を加えたとき電力を消費するのはどれか。

a: 抵抗

b: キャパシタンス

c: インダクタンス

d: 理想的な変圧器

e: 筋肉組織

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電子部品について正しいのはどれか。 

a: ピエゾ素子は磁束密度を検出する。 

b: CdSは光を受けると起電力が発生する。 

c: フォトダイオードは受光量に関係なく一定電流が流れる。 

d: オペアンプは多数のトランジスタで構成されている。 

e: ツェナーダイオードは一定の電圧を得るために用いる。  

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

生体計測に用いられるセンサと物理量の変換関係で誤っているのはどれか。

1: ホール素子：磁　場→電　圧

2: ピエゾ素子：力→電気抵抗

3: サーミスタ：温　度→電気抵抗

4: CdS素子：光→電気抵抗

5: 熱電対：温　度→電　圧

図のように2種類の導体あるいは半導体を組み合わせ、温度差があると起電力が発生する現象はどれか。

1: ペルチェ効果

2: ジョセフソン効果

3: ホール効果

4: 圧電効果

5: ゼーベック効果

磁気センサはどれか。

1: サイリスタ

2: ホール素子

3: バリスタ

4: 差動トランス

5: ISFET

正しいのはどれか。

a: 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。

b: pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。

c: 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。

d: バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。

e: FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e