第9回国試午後19問の類似問題

国試第35回午後:第27問

脳磁計について誤っているのはどれか。 

1: ホール素子が用いられる。 

2: センサの冷却に液化ヘリウムが用いられる。 

3: SQUIDが用いられる。 

4: 電流ダイポールの位置が推定できる。 

5: 磁気シールド室が必要である。 

国試第27回午前:第51問

正しいのはどれか。

a: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

b: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

c: p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。

d: MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

e: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第51問

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

25AM51-0

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード

国試第17回午前:第63問

出力が起電力でないセンサはどれか。

1: ストレインゲージ

2: 圧電素子

3: ホール素子

4: 熱電対

5: 光電池(ソーラセル)

国試第34回午前:第52問

正しいのはどれか。

1: ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。

2: ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流

3: p 形半導体の多数キャリアは電子である。

4: MOSFET の入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。

5: 金属の導電率は温度が高くなると増加する。

国試第29回午後:第25問

物理量が起電力に変換されるトランスデューサはどれか。

a: サーモパイル

b: ホール素子

c: 差動トランス

d: Cセル

e: ストレインゲージ

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第31回午後:第51問

抵抗変化を利用する素子はどれか。

a: サーミスタ

b: CdS

c: ホール素子

d: 熱電対

e: 圧電素子

1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e