正しいのはどれか。(電子工学)
a: バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。
b: バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。
c: パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。
e: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e
円で表される集合A,B,Cがある。網掛け部分に対応する論理式はどれか。(情報処理工学)
1: $\left(A+B\right)\bullet\overline{C}$
2: $ B\bullet\left(A+C\right)$
3: $ A\bullet{B}+B\bullet{C}$
4: $\overline{\left(A+B\right)}\bullet{C}$
5: $ B\bullet\overline{\left(A+C\right)}$