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医用電気電子工学の過去問

ME2第29回午後：第50問

図の測定用器具（MD）のR1、R2、C1の値の組合せで正しいのはどれか。ただし、選択肢は【R1】 -- 【R2】 -- 【C10】とする。

img11205-50-0
1:10kΩ -- 1kΩ -- 0.5μF
2:1kΩ -- 10kΩ -- 0.15μF
3:10kΩ -- 10kΩ -- 0.05μF
4:10kΩ -- 1kΩ -- 0.015μF
5:1kΩ -- 10kΩ -- 0.015μF

国試第24回午前：第61問

16進数AOは10進数でどれか。(医用電気電子工学)

1:160
2:180
3:200
4:220
5:240

国試第24回午前：第60問

電子メールのプロトコルはどれか。(医用電気電子工学)

a:SMTP
b:POP
c:FTP
d:HTTP
e:TELNET
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第20回午後：第17問

基本周波数が異なる波形はどれか。（電子工学）

20PM17-0

国試第20回午後：第18問

図の論理回路のXを示す論理式はどれか。（電子工学）

20PM18-0
1:A・B
2:A・B十C
3:A十B・C
4:A十B十C
5:A・B・C

国試第24回午前：第59問

プログラミング言語でないのはどれか。（医用電気電子工学）

1:C
2:Java
3:UNIX
4:BASIC
5:FORTRAN

国試第20回午後：第16問

差動増幅器の2つの入力端子間に振幅100mVの同相信号と振幅10mVの逆相信号　を同時に入力した。このとき出力では同相信号が10mVに減衰し、逆相信号は1Vに増幅されていた。この増幅器のCMRR（同相除去比）はどれか。（電子工学）

1:20dB
2:40dB
3:60dB
4:100dB
5:300dB

国試第24回午前：第58問

半導体メモリで正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1:ROMは演算の途中結果を記憶する。
2:ROMは電源を切ると書き込まれていた内容が消える。
3:SRAMの記憶素子はコンデンサである。
4:DRAMはリフレッシュが必要である。
5:RAMは読み取り専用の記憶素子である。

国試第24回午前：第57問

通言方式で正しい組合せはどれか。（医用電気電子工学）

a:FM 周波数変調
b:PAM パルス振幅変調
c:PSK パルス符号変調
d:ASK 位相偏移変調
e:FSK 周波数偏移変調
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第24回午前：第56問

図の回路のa,bに0Vまたは5Vを入力したときのcの出力を表すのはどれか。ただし、ﾀﾞｲｵｰﾄﾞは理想ﾀﾞｲｵ-ドとし、表中の数字は電圧［V］を示している。（医用電気電子工学）

24AM56-0 24AM56-1 24AM56-2

国試第20回午後：第14問

図の回路で出力電圧V0はどれか。ただし、入力電圧V1＝+0.1V、V2＝+0.3V、Aは理想演算増幅器とする。（電子工学）

20PM14-0
1:-2V
2:-1V
3:0V
4:+1V
5:+2V

国試第20回午後：第15問

図の回路で入力端子a、bそれぞれに同時に同じ電圧Viの入力信号を加えた。出力信号VOの電圧はどれか。ただしAは理想演算増幅器とする。（電子工学）

20PM15-0
1:-2Vi
2:-4Vi
3:-6Vi
4:-12Vi
5:-18Vi

国試第24回午前：第55問

図の回路で入力端子a、bそれぞれに同じ入力電圧Viを加えた。出力電圧Voはどれか。　ただし、Aは理想演算増幅器とする。(医用電気電子工学)

24AM55-0
1:$-2V_i$
2:$-4V_i$
3:$-6V_i$
4:$-12V_i$
5:$-18V_i$

国試第20回午後：第13問

受光素子でないのはどれか。（電子工学）

1:ホトトランジスク
2:光導電素子
3:太陽電池
4:CCD
5:レーザダイオード

国試第24回午前：第54問

同相除去比(CMRR)が120dBの差動増幅器に100mVの同相信号を入力したときの出力が100μVであった。この増幅器に逆相信号10mVを入力したときの出力はどれか。(医用電気電子工学)

1:1mV
2:10mV
3:100mV
4:1V
5:10V

国試第35回午後：第26問

信号処理の方法と目的との組合せで正しいのはどれか。 

1:微分演算高周波成分の除去 
2:移動平均周波数スペクトルの解析
3:自己相関関数周期的信号の抽出 
4:ウェーブレット変換エイリアシングの除去 
5:フーリエ変換SN比の改善 

国試第20回午後：第12問

正しいのはどれか。（電子工学）

a:バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。
b:バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。
c:パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。
e:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第20回午後：第10問

図のように変圧器に交流電源と抵抗を接続している。　一次側に流れる交流電流が6.0A（実効値）のとき、二次側の電流（実効値）はどれか。ただし、変圧器の巻数比は1：2とする。（電気工学）

20PM10-0
1:1.5 A
2:3.0 A
3:6.0 A
4:12 A
5:24 A

国試第20回午後：第11問

複素数の偏角がπ/4radとなるのはどれか。ただし、jは虚数単位である。(電気工学)

1:$1+j$
2:$1+2j$
3:$2+\sqrt3j$
4:$1-j $
5:$1-2j $

国試第24回午前：第52問

正しいのはどれか。（医用電気電子工学）

1:理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2:ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4:FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5:バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。