医用電気電子工学の過去問

図の回路の端子A、B間の合成抵抗は何Ωか。

1: 10

2: 20

3: 30

4: 40

5: 50

心電図モニタで入力インピーダンスの高い増幅器を用いる目的はどれか。

1: 電極電位を低減する。

2: 増幅回路の消費電力を低減する。

3: 筋電図の混入を低減する。

4: 接触電流を低減する。

5: 信号減インピーダンスの影響を低減する。

測定対象となる物理量が起電力に変換されるトランスデューサはどれか。

1: CdSe

2: サーミスタ

3: フォトトランジスタ

4: ストレインゲージ

5: 熱電対

電磁波でないのはどれか。

1: 赤外線

2: X　線

3: 紫外線

4: 衝撃波

5: マイクロ波

赤、緑、青の3原色の組合せで1677万色（16,777,216色）を表現する。各原色の階調表現に同じビット数を割り当てるとき、それぞれ何ビットになるか。

1: 4

2: 8

3: 12

4: 24

5: 36

100MIPSの性能があるコンピュータの平均命令実行時間はいくらか。

1: 1ns

2: 10ns

3: 100ns

4: 1μs

5: 10μs

通信の暗号化に関係ないのはどれか。

1: IPsec（Security Architecture for Internet Protocol）

2: WPA（Wi-Fi Protected Access）

3: Fire Wall

4: TLS（Transport Layer Security）

5: WEP（Wired Equivalent Privacy）

2進数11000101を16進数で表したのはどれか。

1: 3C

2: 67

3: 9A

4: C5

5: F1

演算増幅器を用いて、電源が±15Vで動作する差動増幅器を構成した。2つの入力端子に2mVを入力すると2Vの出力を得た。また2つの入力端子を接続してその端子と接地との間に1Vを入力すると出力は10mVであった。 この差動増幅器の同相弁別比［dB］はどれか。 ただし、演算増幅器は理想演算増幅器とする。

1: 60

2: 80

3: 100

4: 120

5: 140

図の電源が商用交流（実効値100V）のとき出力電圧Voはおよそ何Vか。

1: 100

2: 140

3: 200

4: 240

5: 280

図の回路で10kΩの抵抗に流れる電流が0.2mAのとき、抵抗Rの大きさは何kΩか。ただし、オペアンプは理想オペアンプとする。

1: 1

2: 2

3: 4

4: 5

5: 10

図の回路が共振状態にあるとき、抵抗器に流れる電流は何Aか。ただし、R=200Ω、L=1.6mH、C=100μF、E=100V（実効値）とする。

1: 0.5

2: 1.0

3: 1.5

4: 2.0

5: 5.0

100Vで送電する電力を、同じケーブルを用いて10Vで送電する場合、送電ケーブルでの電気抵抗による電力損失は何倍になるか。

1: 1000

2: 100

3: 10

4: 0.1

5: 0.01

フルスケール1mA、内部抵抗4.9Ωの電流計を使って50mAまでの電流を測定できるようにしたい。正しいのはどれか。

1: 1.00Ωの抵抗を電流計に直列に接続する。

2: 0.49Ωの抵抗を電流計に並列に接続する。

3: 0.10Ωの抵抗を電流計に直列に接続する。

4: 1.00Ωの抵抗を電流計に並列に接続する。

5: 0.10Ωの抵抗を電流計に並列に接続する。

半径r［m］、長さL［m］、電気抵抗0.2［Ω］の導線がある。同一材料で作られた2r、長さ8Lの導線の電気抵抗［Ω］はいくらか。

1: 0.1

2: 0.2

3: 0.4

4: 0.8

5: 1.0

AD変換について誤っているのはどれか。

1: 不必要な周波数成分を除去するため、前処理としてフィルタをかける。

2: サンプリングの後で量子化の処理を行う。

3: サンプリング周波数は必要となる信号周波数の2倍より高くする。

4: サンプリング周波数がナイキスト周波数より低いとエイリアシングが起こる。

5: 12ビットの量子化は8ビットの量子化に比べ量子化誤差が1/4になる。

CMRR（同相信号除去比）が80dBの差動増幅器がある。差動増幅器の入力端子間に1mVを入力すると1Vが出力された。差動増幅器の二つの入力端子を短絡し、アースとの間に1Vを入力すると出力電圧は何Vになるか。

1: 0.01

2: 0.1

3: 1

4: 10

5: 100

図の回路の出力電圧Vo［V］はいくらか。

1: －4

2: －1

3: 1

4: 2

5: 4

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1: 電圧制御型の素子である。

2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。

4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。

5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

図の回路のスイッチSを閉じて10ms後のVcに最も近い電圧は何Vか。ただし、スイッチを閉じる前、コンデンサには電荷は充電されていないものとし、自然対数の底eは2.7とする。

1: 0.63

2: 3.7

3: 5.0

4: 6.3

5: 10