第30回国試午前51問の類似問題

誤っているのはどれか。

1: FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。

2: バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。

3: ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。

4: トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。

5: FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

ダイオードについて正しいのはどれか。

a: カソードにアノードより高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。

b: 逆方向抵抗は順方向抵抗より小さい。

c: 逆方向電流が急激に大きくなるときの電圧を降伏電圧という。

d: ダイオードには整流作用がある。

e: 理想的なダイオードでは順方向抵抗は無限大である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

正しいのはどれか。

1: npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。

2: コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。

3: ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。

4: MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。

5: MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a: FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。

b: MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。

c: FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。

d: FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。

e: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

電界効果トランジスタ（FET）について誤っているのはどれか。

1: 電圧制御型の素子である。

2: ユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: 接合型FETはゲートに酸化膜を用いている。

4: 接合型FETは空乏層の厚さによりドレイン電流を制御する。

5: MOS型FETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある。

半導体について誤っているのはどれか。

1: 主に4価の元素が材料として使われる。

2: 抵抗率は導体より大きい。

3: 真性半導体では温度が高くなると導電率が増加する。

4: 同一電界中での電子の平均速度は銅線中よりも遅い。

5: キャリアとして電子と正孔がある。

トランジスタについて誤っているのはどれか。

1: FETの種類として接合形とMOS形とがある。

2: FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。

3: バイポーラトランジスタでは正孔と電子とで電流が形成される。

4: バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。

5: FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタより低い。

半導体素子について正しいのはどれか。

a: 半導体レーザは主に紫外域の光を発する。

b: ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。

c: バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。

d: 半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。

e: 熱電対は半導体素子である。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

誤っているのはどれか。

1: 不純物を含まない半導体を真性半導体という。

2: シリコン(Si)にリン(P)を加えるとn形半導体になる。

3: ユニポーラトランジスタにはpチャネルとnチャネルの2種類がある。

4: ユニポーラトランジスタは電圧制御形である。

5: MOSトランジスタはバイポーラトランジスタの一種である。

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1: p形とn形の半導体が接合した構造である。

2: 順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。

3: 逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。

4: 逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。

5: 逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は発光素子の一種である。

2: フォト・トランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。

3: 半導体レーザは光の伝送素子の一種である。

4: 光ファイバは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管を用いて光信号を電気信号に変えることができる。

半導体について正しいのはどれか。

a: 温度が上昇しても抵抗は変化しない。

b: 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。

c: Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。

d: n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。

e: pn接合は発振作用を示す。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

CMOS論理回路について誤っているのはどれか。

1: 消費電力が大きい。

2: 雑音に強い。

3: CMOSの名称はnMOSとpMOSという相補的(Complementary)なデバイスを用いることから来ている。

4: 低電圧でも動作する。

5: CMOSデバイスは電圧で制御される。

電子素子について正しいのはどれか。

a: サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。

b: バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。

c: 硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。

d: ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。

e: 発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

半導体について誤っているのはどれか。

1: 真性半導体は4個の価電子が共有結合したものである。

2: n形半導体は真性半導体にドナーを加えたものである。

3: アクセプタとは3価の不純物を指す。

4: 正孔とは価電子の抜けた状態を指す。

5: p形半導体の多数キャリアは自由電子である。

正しいのはどれか。

1: 太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。

2: ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。

3: 半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。

4: 発光ダイオードは半導体レーザの一種である。

5: 光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。

a: エミッタフォロワと呼ばれる。

b: 出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。

c: インピーダンス変換回路として用いられる。

d: 入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。

e: 信号の電力増幅を行うことはできない。

1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

1: バイポーラトランジスタ

2: MOS-FET

3: 接合形FET

4: サイリスタ

5: フォトダイオード

正しいのはどれか。

a: 熱電対は温度の変化を抵抗値の変化に変換するトランスデューサである。

b: サーミスタは温度を起電力に変換するトランスデューサである。

c: 心音計は低周波用、中間周波用、高周波用および人間の聴覚に似た周波数特性を示すフィルタを備えている。

d: インピーダンス法は生体に電流を通じて生体情報を求める方法である。

e: 指尖脈波は指先にかけた磁場の変化によって測定する。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。（電子工学）

a: 入力インピーダンスは大きい。

b: 入力と出力は逆位相である。

c: 反転増幅回路である。

d: 入力は正電圧でなければならない。

e: 入力電圧の1倍が出力される。

1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e